[发明专利]一种用于AMOLED的ELVDD结构

权利要求书

1.一种用于AMOLED的ELVDD结构，包括RS触发器、逻辑与驱动单元、电感、NFET、PFET、第一PMOS管、第二PMOS管、第一二极管、第二二极管、跨导放大器、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、电容、斜率补偿单元、加法器、误差放大器、第一比较器；其特征在于，还包括第二比较器、D触发器、电流镜和低通滤波单元、NMOS管、第六电阻；其中，

RS触发器的R输入和D触发器的时钟信号输入端接时钟信号，RS触发器的S输入端接第一比较器的输出端，RS触发器的Q输出端接逻辑与驱动单元的输入端作为第一输入信号，D触发器的Q输出端接逻辑与驱动单元的输入端作为第二输入信号，D触发器的D输入端接第二比较器的输出端，第二比较器的同相输入端接电源信号的采样电压，第二比较器的反相输入端接ELVDD的输出信号；

第一输入信号输入逻辑与驱动单元后经过两个串联的反相器作为逻辑与驱动单元的第一输出信号，第一输入信号输入逻辑与驱动单元后经过反相器与第二输入信号作为或门的两个输入信号，或门的输出经过反相器后作为逻辑与驱动单元的第二输出信号；

第一输出信号接NFET的栅极，NFET的源极接地，NFET的漏极经过电感后接电源；第二输出信号接PFET的栅极，PFET的源极经过电感后接电源，PFET的漏极接跨导放大器的同相输入端，第一电阻连接在跨导放大器的同相输入端和反相输入端之间；PFET的漏极通过第一电阻后作为ELVDD的输出端；

第一输出信号经过反相器后接第一PMOS管的栅极，第一PMOS管的漏极通过电感后接电源，第一PMOS管的源极接PFET的衬底；第一输出信号经过非门后接第二PMOS管的栅极，第二PMOS管的源极接PFET的衬底，第二PMOS管的漏极接PFET的漏极；第一PMOS管的漏极接第一二极管的正极，第一二极管的负极接PFET的衬底，第二PMOS管的漏极接第二二极管的正极，第二二极管的负极接PFET的衬底；

跨导放大器的输出端接加法器的一个输入端，加法器的另一个输入端接斜率补偿单元的输出，加法器的输出端接第一比较器的同相输入端，加法器的输出端还通过第二电阻后接地；

电流镜和低通滤波单元的输入端接跨导放大器的输出端，电流镜和低通滤波单元的输出端接NMOS管的漏极，NMOS管的源极接地，NMOS管的栅极接降压模式触发信号；NMOS管的漏极通过电容和第三电阻后接误差放大器的输出端，NMOS管的漏极通过第六电阻后接地；

误差放大器的同相输入端通过第四电阻后接ELVDD的输出端，误差放大器的同相输入端通过第五电阻后接地，误差放大器的反相输入端接基准电压，误差放大器的输出端接第一比较器的反相输入端。