[发明专利]一种用于AMOLED的ELVDD结构

说明书

本发明属于电源技术领域，具体的说是涉及一种用于AMOLED的ELVDD优化结构。本发明主要在传统结构的基础上，增加进入DownMode同步CLK电路和增加DownMode快速PWM控制结构。实现减小DC‑DC从BOOST模式切换到DownMode模式时所产生的纹波Ripple，明显优化了电流偏离负载电流的幅度，也即优化了输出电压Vout(ELVDD)的Ripple，从而很好的解决了手机可能出现闪屏的问题。

技术领域

本发明属于电源技术领域，具体的说是涉及一种用于AMOLED的ELVDD结构。

背景技术

目前市面上基本所有的有线充电手机都采用如图1所示方案进行供电。即手机充电器Adapter接入220V家用电给手机供电，手机里面经过Charger芯片进行转换成系统所需的电压VSYS以及给手机电池Battery进行充电，VSYS然后再给扬声器Speaker、手机显示屏Mobile Phone Display、MCU以及其它设备供电。在手机开启应用越多时，VSYS可能会从4.15~4.6V反复变化，甚至变化的更大，这就导致手机显示屏LED Display的供电电压ELVDD和ELVSS抖动，出现通常所说闪屏的现象，这对用户体验是非常不友好的。

通常ELVDD的电压是4.6V，它是由PMIC里的一路DCDC(Boost)所产生的。所以为了使得电池的效率高，该路BOOST需支持4.45V转4.6V的输出。实际芯片还需保留余量，通常将工作在BOOST模式下的极限点设在4.5V~4.55V之间。由于BOOST受最小导通时间Min_on时间的限制，其不能支持4.6V输入4.6V输出的情况，否则输出电压ELVDD会出现振荡 。所以为了避免Adapter供电时ELVDD出现该现象，就需要此时从BOOST正常工作模式切换到DownMode工作模式。但是切入DownMode模式时如果不对ELVDD的Ripple做优化处理，就会出现闪屏的现象。BOOST模式就是DC-DC以BOOST方式进行升压；其中功率管PFET和NFET是工作在开关状态。电感电流上升斜率为VIN/L，下降斜率为（Vout-VIN）/L。DownMode模式就是DC-DC以类似BOOST方式进行升降压；其中NFET是工作在开关状态，PFET是工作在饱和区。电感电流上升斜率为VIN/L，下降斜率为（Vmax+VGS-VIN）/L。其中Vmax为取VIN和Vout中最大值。

如图所示2，为典型ELVDD电源产生电路。图3是DC-DC从BOOST模式切换到DownMode模式时电感L电流和负载电流曲线图；从图中不难看出当从BOOST模式切换到DownMode瞬间时间内电感电流会偏离负载电流很多，所以输出电压Vout（即ELVDD）就会又下冲Undershoot。而为了减小这个Ripple很多应用上都只是增大输出电容Cout，这样不仅增加了成本，而且浪费了面积，占用了空间。

发明内容

本发明针对上述问题，提出一种ELVDD的DCDC从BOOST模式切入到DownMode模式的纹波Ripple优化结构。

本发明的技术方案为：

如图7所示，本发明的用于AMOLED的ELVDD结构，包括RS触发器、逻辑与驱动单元、电感、NFET、PFET、第一PMOS管、第二PMOS管、第一二极管、第二二极管、跨导放大器、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、电容、斜率补偿单元、加法器、误差放大器、第一比较器；其特征在于，还包括第二比较器、D触发器、电流镜和低通滤波单元、NMOS管、第六电阻；其中，

RS触发器的R输入和D触发器的时钟信号输入端接时钟信号，RS触发器的S输入端接第一比较器的输出端，RS触发器的Q输出端接逻辑与驱动单元的输入端作为第一输入信号，D触发器的Q输出端接逻辑与驱动单元的输入端作为第二输入信号，D触发器的D输入端接第二比较器的输出端，第二比较器的同相输入端接电源信号的采样电压（a是通过采样电阻确定的系数，即确定用于与Vout比较的采样电压值，从而确定进入DownMode的阈值），第二比较器的反相输入端接ELVDD的输出信号；