[发明专利]一种碳化硅平面式功率半导体器件及其制作方法

权利要求书

1.一种碳化硅平面式功率半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：

提供基底；

在所述基底上形成外延层；

在所述外延层上表面进行光刻形成位于所述外延层内的P-掺杂区；

在所述外延层上表面进行离子刻蚀形成直角三角形的多晶硅侧壁残余层；

在所述P-掺杂区内形成N+掺杂区，所述N+掺杂区的上表面的宽度大于其下表面的宽度；

在所述外延层上表面以湿刻蚀方式形成平面；

在所述外延层上表面进行光刻形成位于所述外延层内的P+掺杂区，所述P+掺杂区包覆部分所述N+掺杂区；

在所述平面上形成闸极氧化层；在所述闸极氧化层上沉积闸极多晶硅层，所述闸极氧化层和所述闸极多晶硅层的宽度相同；

在所述闸极多晶硅层上进行光刻后沉积介电质层；

在所述外延层上表面以及所述介电质层上表面形成铝金属层；

所述在所述外延层上表面进行光刻形成位于所述外延层内的P-掺杂区，包括：

在所述外延层上表面沉积氧化硅后进行光刻，并将部分区域氧化硅刻蚀掉；

在所述外延层内直接进行铝掺杂得到位于所述外延层内的P-掺杂区；

所述在所述外延层上表面进行离子刻蚀形成直角三角形的多晶硅侧壁残余层，包括：

在所述外延层上表面沉积多晶硅层；

通过离子刻蚀形成直角三角形的多晶硅侧壁残余层。

2.根据权利要求1所述的碳化硅平面式功率半导体器件的制作方法，其特征在于，所述在所述P-掺杂区内形成N+掺杂区，所述N+掺杂区的上表面的宽度大于其下表面的宽度，包括：

在所述P-掺杂区内进行磷掺杂形成所述N+掺杂区，所述N+掺杂区的横截面的形状为倒梯形。

3.根据权利要求1所述的碳化硅平面式功率半导体器件的制作方法，其特征在于，所述P+掺杂区在横截面上的两个边界与所述N+掺杂区的下表面接触。

4.根据权利要求1所述的碳化硅平面式功率半导体器件的制作方法，其特征在于，所述外延层的制作材料包括碳化硅，且所述碳化硅的浓度在2.5*10¹⁵cm^-3~8.0*10¹⁵cm^-3之间。

5.根据权利要求1所述的碳化硅平面式功率半导体器件的制作方法，其特征在于，所述P-掺杂区的制作材料和所述P+掺杂区的制作材料均包括铝，所述P-掺杂区内的铝的浓度在1.0*10¹²cm^-2~8.0*10¹⁴cm^-2之间，所述P+掺杂区内的铝的浓度在1.0*10¹⁴cm^-2~8.0*10¹⁵cm^-2之间，所述N+掺杂区的制作材料包括磷，所述磷的浓度在1.0*10¹⁴cm^-2~8.0*10¹⁵cm^-2之间。

6.根据权利要求1所述的碳化硅平面式功率半导体器件的制作方法，其特征在于，所述闸极氧化层的厚度在0.03μm ~ 0.07μm之间，所述闸极多晶硅层的厚度在0.5μm ~1.0μm之间，所述介电质层的厚度在0.8μm ~2.0μm之间，所述铝金属层的厚度在3.0μm ~5.0μm之间。