[发明专利]一种转移装置在审
申请号: | 202110540942.9 | 申请日: | 2021-05-18 |
公开(公告)号: | CN113410169A | 公开(公告)日: | 2021-09-17 |
发明(设计)人: | 徐长奇;李运钧;郭冉 | 申请(专利权)人: | 深圳市百柔新材料技术有限公司;美国卓尔材料技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/677 | 分类号: | H01L21/677;H01L33/00;H01L21/68 |
代理公司: | 深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414 | 代理人: | 张全文 |
地址: | 518000 广东省深圳市龙岗区宝*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 转移 装置 | ||
1.一种转移装置,其特征在于,包括吸附模板和固定在所述吸附模板上的腔体,所述吸附模板与所述腔体之间形成空气腔;
所述吸附模板上设置有贯穿所述吸附模板的吸附孔阵列,所述吸附孔阵列中的每个吸附孔的尺寸小于待转移的Micro-LED芯片的尺寸,所述腔体上设置有气体通道,所述气体通道与压力设备连接;
所述吸附模板用于在所述压力设备改变所述空气腔内的气压时,通过所述吸附孔阵列吸附或者释放所述Micro-LED芯片。
2.如权利要求1所述的转移装置,其特征在于,所述吸附孔为台阶孔;所述台阶孔包括大孔段和小孔段,所述大孔段的尺寸大于所述Micro-LED芯片的尺寸,所述小孔段的尺寸小于所述Micro-LED芯片的尺寸。
3.如权利要求2所述的转移装置,其特征在于,所述大孔段为方形或者圆形,所述小孔段为圆形;
所述小孔段的孔径大于5μm且小于200μm。
4.如权利要求2所述的转移装置,其特征在于,所述吸附模板包括玻璃层。
5.如权利要求4所述的转移装置,其特征在于,所述吸附模板还包括至少一层聚合物干膜层,所述小孔段位于所述玻璃层。
6.如权利要求5所述的转移装置,其特征在于,所述玻璃层上和/或所述空气腔内设置有加强筋。
7.如权利要求所述1-6任一项所述的转移装置,其特征在于,所述吸附孔通过激光诱导深腐蚀技术制备。
8.如权利要求所述1-6任一项所述的转移装置,其特征在于,所述转移装置还包括软管,所述软管用于连接所述气体通道和所述压力设备。
9.如权利要求所述1-6任一项所述的转移装置,其特征在于,所述转移装置还包括至少一个CCD相机,所述CCD相机用于辅助定位所述转移装置。
10.如权利要求1-6任一项所述的转移装置,其特征在于,所述吸附模板和所述腔体之间设置有密封胶条。
11.如权利要求1-6任一项所述的转移装置,其特征在于,所述腔体外部设置有连接件,所述连接件用于连接外部设备,以使得所述外部设备移动所述转移装置。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造