[发明专利]一种转移装置在审
申请号: | 202110540942.9 | 申请日: | 2021-05-18 |
公开(公告)号: | CN113410169A | 公开(公告)日: | 2021-09-17 |
发明(设计)人: | 徐长奇;李运钧;郭冉 | 申请(专利权)人: | 深圳市百柔新材料技术有限公司;美国卓尔材料技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/677 | 分类号: | H01L21/677;H01L33/00;H01L21/68 |
代理公司: | 深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414 | 代理人: | 张全文 |
地址: | 518000 广东省深圳市龙岗区宝*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 转移 装置 | ||
本申请提供一种转移装置,应用于Micro‑LED芯片。转移装置包括吸附模板和固定在吸附模板上的腔体,吸附模板与腔体之间形成空气腔;吸附模板上设置有贯穿吸附模板的吸附孔阵列,吸附孔阵列中的每个吸附孔的尺寸小于待转移的Micro‑LED芯片的尺寸,腔体上设置有气体通道,气体通道与压力设备连接;当压力设备减小空气腔的气压时,吸附阵列将待转移的Micro‑LED芯片吸附在吸附孔上;将Micro‑LED芯片转移至目标基板后,当压力设备增大空气腔的气压时,吸附阵列释放吸附孔上的Micro‑LED芯片。通过改变吸附孔阵列中的吸附孔设置的密度实现Micro‑LED芯片的宏量转移。
技术领域
本申请涉及显示领域,尤其涉及一种转移装置。
背景技术
由于微型发光二极管(Micro-LED)具有体积小、耗电量低、使用寿命长等特点,因此在显示领域引起了广泛关注。
在实际应用中,需要将几百万个尺寸大小为几个微米到几百微米之间的Micro-LED芯片集成安装到有微电极的基板中,才可以获得具备省电、高对比度、高分辨率、超高亮度、响应时间快、可视角度大及耐高温工作等优势的Micro-LED显示设备。因此,Micro-LED芯片的宏量转移技术成为了Micro-LED显示设备生产中的核心问题。
发明内容
有鉴于此,本申请提供一种转移装置,能够实现Micro-LED芯片的宏量转移。
为了实现上述目的,本申请提供了一种转移装置,该转移装置包括吸附模板和固定在所述吸附模板上的腔体,所述吸附模板与所述腔体之间形成空气腔;
所述吸附模板上设置有贯穿所述吸附模板的吸附孔阵列,所述吸附孔阵列中的每个吸附孔的尺寸小于待转移的Micro-LED芯片的尺寸,所述腔体上设置有气体通道,所述气体通道与压力设备连接;
所述吸附模板用于在所述压力设备改变所述空气腔内的气压时,通过所述吸附孔阵列吸附或者释放所述Micro-LED芯片。
通过在吸附模板上设置的吸附孔阵列,当所述压力设备减小所述空气腔的气压时,所述吸附阵列将位于原始基板上的待转移的多个Micro-LED芯片吸附在所述吸附孔上;将Micro-LED芯片转移至目标基板后,当所述压力设备增大所述空气腔的气压时,所述吸附阵列将释放多个所述吸附孔上的Micro-LED芯片。以此完成Micro-LED芯片的转移过程,通过改变所述吸附孔阵列中的吸附孔设置的密度实现大量Micro-LED芯片的转移。
可选的,所述吸附孔为台阶孔;所述台阶孔包括大孔段和小孔段,所述大孔段的尺寸大于所述Micro-LED芯片的尺寸,所述小孔段的尺寸小于所述Micro-LED芯片的尺寸。在小孔段尺寸较小的情况下,使吸附模板有足够的强度和刚性进一步保证吸附模板在使用过程中的稳定性,还可以避免所述Micro-LED芯片在空气腔内气压发生变化的情况下吸入至上述空气腔内。
可选的,所述大孔段为方形或者圆形,所述小孔段为圆形;所述小孔段的孔径大于5μm且小于200μm。
可选的,所述吸附模板包括玻璃层。
可选的,所述吸附模板还包括至少一层聚合物干膜层,所述小孔段位于所述玻璃层。
可选的,所述玻璃层上和/或所述空气腔内设置有加强筋。加强筋结构的设计可以保持腔体内腔中吸附模板在使用过程中的稳定性,从而可以提高Micro-LED芯片转移过程中的准确性。
可选的,所述吸附孔通过激光诱导深腐蚀技术制备。利用激光诱导深腐蚀技术可以制备直径为5微米的吸附孔,有利于转移尺寸较小的Micro-LED芯片。
可选的,所述转移装置还包括软管,所述软管用于连接所述气体通道和所述压力设备。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造