[发明专利]均匀晶锭溶质的方法、成分均匀的晶锭的制备方法和合金晶锭

权利要求书

1.一种均匀晶锭溶质的方法，其特征在于，包括：

进行多根原料锭的区域熔炼，每根区域熔炼后的晶锭将最后一个熔区凝固后的部分晶锭截下，作为下一根区域熔炼的原料锭的一部分，并作为下一次区域熔炼的起始部分进行区域熔炼，如此循环。

2.根据权利要求1所述的均匀晶锭溶质的方法，其特征在于，每根区域熔炼后的晶锭将最后一个熔区凝固后的部分晶锭截下，作为下一根区域熔炼的原料锭的一部分，其操作为：

将区域熔炼后截取下的晶锭置于容器的一端，然后在容器中装入制备原料锭的原料，加热使所述原料熔融，并保持区域熔炼截取下的晶锭不熔化，熔融的原料冷却凝固后，使区域熔炼截取下的晶锭与凝固后的原料连接形成一体，得到下一次区域熔炼的原料锭。

3.根据权利要求2所述的均匀晶锭溶质的方法，其特征在于，所述容器为坩埚。

4.根据权利要求3所述的均匀晶锭溶质的方法，其特征在于，所述坩埚为透明坩埚。

5.根据权利要求1所述的均匀晶锭溶质的方法，其特征在于，所述原料锭的化学组分为Bi₂Te_2.7Se_0.3，区域熔炼为垂直区域熔炼。

6.根据权利要求5所述的均匀晶锭溶质的方法，其特征在于，熔区长度为晶锭直径的2.5～4.0倍，熔区温度为620～640℃，熔区的移动速度为25～30mm/h。

7.一种成分均匀的晶锭的制备方法，其特征在于，包括：

按照如权利要求1～6任一项所述的均匀晶锭溶质的方法处理原料锭。

8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，还包括制备所述原料锭：将制备原料锭的原料在真空条件下完全熔化，然后降温冷却。

9.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，将制备原料锭的原料在真空条件下完全熔化是将Bi₂Te_2.7Se_0.3原料置于坩埚中，将坩埚置于晶体生长炉中，升高晶体生长炉的温度至630℃，保温100～150min。

10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，所述坩埚的底部结构为弧面结构。

11.根据权利要求10所述的制备方法，其特征在于，所述坩埚的底部呈半球形。

12.一种合金晶锭，其特征在于，采用如权利要求7～11任一项所述的制备方法制得。