[发明专利]半导体器件和制造方法在审
| 申请号： | 202110545334.7 | 申请日： | 2021-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN114038842A | 公开（公告）日： | 2022-02-11 |
| 发明（设计）人： | 陈志豪;王卜;郑礼辉;卢思维 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/16 | 分类号： | H01L25/16;H01L23/31;H01L23/367;H01L21/50;H01L21/56 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
1.一种半导体器件，包括：
密封剂，密封半导体管芯和贯穿通孔，其中，所述密封剂具有弯曲的侧壁，其中，邻接所述弯曲的侧壁的所述半导体管芯的侧壁的部分暴露出来；
界面材料，位于所述半导体管芯上方；以及
底部填充材料，位于所述界面材料周围。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述界面材料具有第一宽度，并且所述半导体管芯具有小于所述第一宽度的第二宽度。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述界面材料具有第一宽度，并且所述半导体管芯具有大于所述第一宽度的第二宽度。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述界面材料具有第一宽度，并且所述半导体管芯具有所述第一宽度。
5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述界面材料填充所述弯曲的侧壁和所述半导体管芯的所述侧壁的所述侧壁之间的区域。
6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述底部填充材料填充所述弯曲的侧壁和所述半导体管芯的所述侧壁的所述侧壁之间的区域。
7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述界面材料具有在约15W/K*m和约23W/K*m之间的导热率，具有在约250N/mm和约2500N/mm之间的刚度，并且具有在约0.5N*mm和约10N*mm之间的粘性。
8.一种半导体器件，包括：
界面材料，在第一封装件和半导体管芯之间延伸，所述第一封装件通过贯穿通孔电连接至所述半导体管芯，所述贯穿通孔具有大于所述半导体管芯的高度；
密封剂，围绕所述贯穿通孔和所述半导体管芯，所述密封剂具有与所述半导体管芯的侧壁交界的弯曲的表面；以及
底部填充材料，围绕所述界面材料，并且在所述第一封装件和所述密封剂之间延伸。
9.根据权利要求8所述的半导体器件，其中，所述底部填充物与所述弯曲的表面物理接触。
10.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：
放置半导体管芯使得邻接贯穿通孔，其中，在所述放置所述半导体管芯之后，粘合剂覆盖所述半导体管芯的侧壁的至少一部分；
放置密封剂使得位于所述半导体管芯和所述贯穿通孔之间，并且与所述粘合剂物理接触；
去除所述粘合剂；
放置界面材料使得位于所述半导体管芯上方，但是并不位于所述贯穿通孔上方；
放置封装件使得与所述界面材料物理接触，其中，所述放置所述封装件使得压缩所述界面材料；以及
放置底部填充物使得位于所述封装件和所述半导体管芯之间。
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