[发明专利]半导体器件和制造方法在审

专利信息
申请号: 202110545334.7 申请日: 2021-05-19
公开(公告)号: CN114038842A 公开(公告)日: 2022-02-11
发明(设计)人: 陈志豪;王卜;郑礼辉;卢思维 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: H01L25/16 分类号: H01L25/16;H01L23/31;H01L23/367;H01L21/50;H01L21/56
代理公司: 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 代理人: 章社杲;李伟
地址: 中国台*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 半导体器件 制造 方法
【说明书】:

提供了一种半导体器件以及制造方法,其中,从嵌入在密封剂内的半导体管芯去除粘合剂,并且利用界面材料从半导体器件去除热量。粘合剂的去除留下邻接半导体的侧壁的凹进,并且填充凹进。

技术领域

本申请的实施例涉及半导体器件和制造方法。

背景技术

由于各种电子组件(例如晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度的不断提高,半导体工业经历了快速的增长。大多数情况下,集成密度的提高可以从迭代减小最小特征尺寸、从而允许更多组件集成至给定区域中来获得。随着对缩小的电子器件的需求的增长,已经出现了对更小并且更具创造性的半导体管芯的封装技术的需求。这种封装系统的一个示例是封装上封装(PoP)技术。在PoP器件中,顶部半导体封装件堆叠在底部半导体封装件的顶部,以提供高级别的集成度和组件密度。PoP技术通常能够在印刷电路板(PCB)上生产具有增强的功能和小的占位面积的半导体器件。

发明内容

本申请的实施例提供了一种半导体器件,包括:密封剂,密封半导体管芯和贯穿通孔,其中,所述密封剂具有弯曲的侧壁,其中,邻接所述弯曲的侧壁的所述半导体管芯的侧壁的部分暴露出来;界面材料,位于所述半导体管芯上方;以及底部填充材料,位于所述界面材料周围。

本申请的实施例提供了一种半导体器件,包括:界面材料,在第一封装件和半导体管芯之间延伸,所述第一封装件通过贯穿通孔电连接至所述半导体管芯,所述贯穿通孔具有大于所述半导体管芯的高度;密封剂,围绕所述贯穿通孔和所述半导体管芯,所述密封剂具有与所述半导体管芯的侧壁交界的弯曲的表面;以及底部填充材料,围绕所述界面材料,并且在所述第一封装件和所述密封剂之间延伸。

本申请的实施例还提供一种制造半导体器件的方法,所述方法包括:放置半导体管芯使得邻接贯穿通孔,其中,在所述放置所述半导体管芯之后,粘合剂覆盖所述半导体管芯的侧壁的至少一部分;放置密封剂使得位于所述半导体管芯和所述贯穿通孔之间,并且与所述粘合剂物理接触;去除所述粘合剂;放置界面材料使得位于所述半导体管芯上方,但是并不位于所述贯穿通孔上方;放置封装件使得与所述界面材料物理接触,其中,所述放置所述封装件使得压缩所述界面材料;以及放置底部填充物使得位于所述封装件和所述半导体管芯之间。

附图说明

当结合附图进行阅读时,从以下详细描述可最佳理解本发明的各个方面。应该指出,根据工业中的标准实践,各个部件未按比例绘制。实际上,为了清楚的讨论,各个部件的尺寸可以任意地增大或减小。

图1示出了根据一些实施例的集成电路管芯的截面图;

图2示出了根据一个实施例的载体衬底上的粘合层;

图3示出了根据一个实施例的贯穿通孔的形成;

图4A-图4B示出了根据一个实施例的集成电路管芯的布置;

图5示出了根据一个实施例的密封剂;

图6示出了根据一个实施例的密封剂的平坦化;

图7-图10示出了根据一个实施例的再分布结构的形成;

图11示出了根据一个实施例的凸块下金属化件的布置;

图12示出了根据一个实施例的导电连接器的形成;

图13示出了根据一个实施例的载体衬底的去除;

图14A-图14C示出了根据一个实施例的粘合剂的去除;

图15示出了根据一个实施例的界面材料的布置;

图16示出了根据一个实施例的封装件的布置;

图17示出了根据一个实施例的单个化;

图18示出了根据一个实施例的其中界面材料小于半导体管芯的实施例;

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