[发明专利]半导体器件及其形成方法在审
| 申请号： | 202110546280.6 | 申请日： | 2021-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN113314535A | 公开（公告）日： | 2021-08-27 |
| 发明（设计）人： | 吴家伟;郑存闵 | 申请（专利权）人： | 福建省晋华集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/108 | 分类号： | H01L27/108 |
| 代理公司： | 深圳市嘉勤知识产权代理有限公司 44651 | 代理人： | 董琳 |
| 地址： | 362200 福建省泉州*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：
提供衬底，所述衬底内形成有埋栅沟槽；
在所述埋栅沟槽内壁表面形成栅介电层；
在所述栅介电层表面形成至少填充所述埋栅沟槽部分高度的第一埋栅极；
对所述第一埋栅极表面进行还原处理。
2.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述还原处理包括：在还原反应条件下，利用还原气体与所述第一埋栅极表面进行还原反应。
3.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述第一埋栅极表面形成有自然氧化层，所述还原处理包括：通过还原性气体与所述自然氧化层进行还原反应，将所述氧化层处理还原为第一埋栅极的材料。
4.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述第一埋栅极的形成方法包括：在所述埋栅沟槽内沉积第一埋栅极材料层；对所述第一埋栅极材料进行回刻蚀，使得所述第一埋栅极材料的表面低于所述埋栅沟槽顶部，形成位于所述埋栅沟槽内的第一埋栅极。
5.根据权利要求4所述的形成方法，其特征在于，所述第一埋栅极材料包括W、Al、Ti、Ta、TiN、WN、TaCN、TaN中的至少一种。
6.根据权利要求2所述的形成方法，其特征在于，所述还原处理采用的还原性气体包括：H2，还原反应条件至少包括：温度为350℃～700℃，时间为30min～120min。
7.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，还包括：在所述还原处理之后，在所述埋栅沟槽内形成位于所述第一埋栅极上的第二埋栅极。
8.根据权利要求7所述的形成方法，其特征在于，所述第二埋栅极包括：偶极子诱导层和位于所述偶极子诱导层表面的电极层。
9.根据权利要求7所述的形成方法，其特征在于，还包括：在形成所述第二埋栅极之前，还包括形成覆盖所述第一埋栅极表面的扩散阻挡层。
10.根据权利要求7所述的形成方法，其特征在于，所述第二埋栅极顶部低于所述埋栅沟槽顶部，还包括：在所述第二埋栅极顶部形成覆盖所述第二埋栅极的盖帽层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
