[发明专利]红外吸收组合物、以及包括其的光电器件、有机传感器和电子设备

权利要求书

1.红外吸收组合物，包括

由化学式1表示的p型半导体化合物，和

n型半导体化合物，所述n型半导体化合物包括由化学式2A表示的化合物、由化学式2B表示的化合物、由化学式2C表示的化合物、富勒烯衍生物、或其组合，

其中所述p型半导体化合物和所述n型半导体化合物提供体异质结(BHJ)结构，

[化学式1]

其中，在化学式1中，

M为Sn、Ni、V、Al、Zn、Si、Co、或Ge，

X为卤素，

m为0至4的整数，

n为0或1，

两个R^1a、两个R^2a、两个R^3a和两个R^4a各自独立地为氢、氘、卤素、氰基、C1至C20卤代烷基、C1至C20氰基烷基、C1至C20烷基或C1至C20烷氧基，条件是两个R^1a的至少一个、两个R^2a的至少一个、两个R^3a的至少一个和两个R^4a的至少一个为C1至C20烷基或C1至C20烷氧基，

R^1b、R^1c、R^1d、R^2b、R^2c、R^2d、R^3b、R^3c、R^3d、R^4b、R^4c和R^4d各自独立地为氢、氘、卤素、C1至C20卤代烷基、氰基、C1至C20氰基烷基、C1至C20烷基或C1至C20烷氧基，

b为0至2的整数，并且

n1、n2、n3和n4各自独立地为1至4的整数，

[化学式2A]

其中，在化学式2A中，

Ar¹是由化学式3表示的部分之一，

X¹和X²各自独立地为S、Se或Te，

Ar¹¹、Ar¹²、Ar²¹和Ar²²各自独立地为取代或未取代的C6-C10芳基或者取代或未取代的C3-C10杂芳基，

Ar³¹和Ar³²各自独立地为具有选自C＝O、C＝S、C＝Se、C＝Te和C＝(CN)₂的至少一个官能团的取代或未取代的C6至C30烃环基团，具有选自C＝O、C＝S、C＝Se、C＝Te和C＝(CN)₂的至少一个官能团的取代或未取代的C2至C30杂环基团，或其稠环，和

R¹和R²各自独立地为氢或C1至C10烷基，

[化学式3]

其中，在化学式3中，

X^a和X^b各自独立地为S、Se或Te，

R^a和R^b各自独立地为氢或C1至C20烷基，以及

a和b各自独立为1或2，

[化学式2B]

其中，在化学式2B中，

Ar²是由化学式3表示的部分之一，

X¹、X²、X³和X⁴各自独立地为S、Se或Te，

Ar¹¹、Ar¹²、Ar²¹和Ar²²各自独立地为取代或未取代的C6-C10芳基或者取代或未取代的C3-C10杂芳基，

Ar³¹和Ar³²各自独立地为具有选自C＝O、C＝S、C＝Se、C＝Te和C＝(CN)₂的至少一个官能团的取代或未取代的C6至C30烃环基团，具有选自C＝O、C＝S、C＝Se、C＝Te和C＝(CN)₂的至少一个官能团的取代或未取代的C2至C30杂环基团，或其稠环，和

R¹和R²各自独立地为氢或C1至C10烷基，

[化学式2C]

其中，在化学式2C中，

Ar³是由化学式4表示的部分之一，

X¹、X²、X³和X⁴各自独立地为S、Se或Te，

R³和R⁴各自独立地为氢、C1至C20烷基、C6至C10芳基或C2至C10杂芳基，

Ar³¹和Ar³²各自独立地为具有选自C＝O、C＝S、C＝Se、C＝Te和C＝(CN)₂的至少一个官能团的取代或未取代的C6至C30烃环基团，具有选自C＝O、C＝S、C＝Se、C＝Te和C＝(CN)₂的至少一个官能团的取代或未取代的C2至C30杂环基团，或其稠环，和

R¹和R²各自独立地为氢或C1至C10烷基，

[化学式4]

其中，在化学式4中，

Y¹为CR^pR^q、NR^r、O、S、Se、或Te，其中R^p、R^q和R^r各自独立地为氢或C1至C20烷基，和

Z¹至Z⁴各自独立地为CR^s或N，其中R^s为氢或C1至C20烷基。