[发明专利]红外吸收组合物、以及包括其的光电器件、有机传感器和电子设备

说明书

公开了红外吸收组合物、以及包括其的光电器件、有机传感器和电子设备。所述红外吸收组合物包括由化学式1表示的p型半导体化合物和n型半导体化合物。所述n型半导体化合物包括由化学式2A表示的化合物、由化学式2B表示的化合物、由化学式2C表示的化合物、富勒烯衍生物或其组合。所述p型半导体化合物和所述n型半导体化合物提供体异质结(BHJ)结构。

对相关申请的交叉引用

本申请要求在韩国知识产权局于2020年5月19日提交的韩国专利申请No.10-2020-0060004的优先权和权益，将其全部内容通过引用引入本文中。

技术领域

公开了红外吸收组合物以及包括其的光电器件、有机传感器和/或电子设备。

背景技术

成像设备可用于数字照相机和便携式摄像机等中，以捕获图像并将它作为电信号存储，并且成像设备可包括用于将入射光根据波长进行分离并将各分量转换成电信号的传感器。

近来，已经研究了在红外区域中的光电器件以改善在低照度环境中传感器的灵敏度和/或用作生物识别设备。

发明内容

一些实施方式提供具有改善的红外光吸收特性的红外吸收组合物。

一些实施方式提供包括所述红外吸收组合物的红外吸收/阻挡膜。

一些实施方式提供包含所述红外吸收组合物的光电器件。

一些实施方式提供包括所述红外吸收组合物或光电器件的传感器。

一些实施方式提供包括所述光电器件或传感器的电子设备。

根据一些实施方式，红外吸收组合物包括：由化学式1表示的p型半导体化合物；和n型半导体化合物，所述n型半导体化合物选自由化学式2A表示的化合物、由化学式2B表示的化合物、由化学式2C表示的化合物、富勒烯衍生物、或其组合；其中p型半导体化合物和n型半导体化合物提供体异质结(BHJ)结构。

[化学式1]

在化学式1中，

M可为Sn、Ni、V、Al、Zn、Si、Co、或Ge，

X可为卤素，

m可为0至4的整数

n可为0或1，

两个R^1a、两个R^2a、两个R^3a和两个R^4a各自独立地为氢、氘、卤素、氰基(-CN)、C1至C20卤代烷基、C1至C20氰基烷基、C1至C20烷基或C1至C20烷氧基，条件是两个R^1a的至少一个、两个R^2a的至少一个、两个R^3a的至少一个和两个R^4a的至少一个为C1至C20烷基或C1至C20烷氧基，

R^1b、R^1c、R^1d、R^2b、R^2c、R^2d、R^3b、R^3c、R^3d、R^4b、R^4c和R^4d可各自独立地为氢、氘、卤素、C1至C20卤代烷基、氰基(-CN)、C1至C20氰基烷基、C1至C20烷基或C1至C20烷氧基，

b可为0至2的整数，并且

n1、n2、n3和n4各自独立地为1至4的整数，

[化学式2A]