[发明专利]能够朝向布局边缘形成寄生电容的半导体电容阵列布局

权利要求书

1.一种半导体电容阵列布局，能够朝向该半导体电容阵列布局的一边缘形成寄生电容，该半导体电容阵列布局包含：

一第一导电结构，包含：

M个纵向第一导电条位于一第一集成电路层，其中该M为大于二的整数；

N个横向第一导电条位于一第二集成电路层，该N个横向第一导电条经由多个第一通孔耦接该M个纵向第一导电条，且与该M个纵向第一导电条共同地形成[(M-1)×(N-1)]个井形结构，该[(M-1)×(N-1)]个井形结构包含(N-1)个外侧井与{[(M-2)×(N-1)]}个内侧井，该(N-1)个外侧井与该{[(M-2)×(N-1)]}个内侧井在电性上相连，其中该N为大于一的整数；

一第二导电结构，包含：

[(M-1)×(N-1)]个第二导体位于该第一集成电路层，且分别地位于该[(M-1)×(N-1)]个井形结构中，该[(M-1)×(N-1)]个第二导体包含(N-1)个外侧第二导体与{[(M-2)×(N-1)]}个内侧第二导体，该(N-1)个外侧第二导体位于该(N-1)个外侧井中，该{[(M-2)×(N-1)]}个内侧第二导体位于该{[(M-2)×(N-1)]}个内侧井中，该(N-1)个外侧第二导体与该{[(M-2)×(N-1)]}个内侧第二导体在电性上不相连，

其中该M个纵向第一导电条与该N个横向第一导电条用于一第一电压的传输，该{[(M-2)×(N-1)]}个内侧第二导体用于一第二电压的传输，该(N-1)个外侧第二导体用于一预设电压的传输或未用于任何电压的传输，该第一电压不同于该第二电压，也不同于该预设电压，该预设电压不同于该第二电压，该{[(M-2)×(N-1)]}个内侧第二导体中的(N-1)个内侧第二导体最靠近该(N-1)个外侧井，该(N-1)个内侧第二导体与该(N-1)个外侧井共同地形成该寄生电容。

2.如权利要求1所述的半导体电容阵列布局，其中该[(M-1)×(N-1)]个第二导体的每一个包含一导电条或多个导电条。

3.如权利要求1所述的半导体电容阵列布局，其中该{[(M-2)×(N-1)]}个内侧第二导体中的K个第二导体属于P个电容群的一第一电容群，该{[(M-2)×(N-1)]}个内侧第二导体中的L个第二导体属于P个电容群的一第二电容群，该M为大于三的整数，该P为大于一的整数，该K为不大于{[(M-2)×(N-1)]-1}的正整数，该L为不大于{[(M-2)×(N-1)]-K}的正整数。

4.如权利要求1所述的半导体电容阵列布局，其中该(N-1)个外侧第二导体在电性上耦接在一起。

5.如权利要求1所述的半导体电容阵列布局，其中该(N-1)个外侧第二导体的每一个的形状实质地同于该{[(M-2)×(N-1)]}个内侧第二导体的每一个的形状。