[发明专利]三维存储器件及其制造方法

权利要求书

1.一种三维存储器件，包括：

衬底；

堆叠结构，形成于所述衬底上并包括交替堆叠的栅极层和绝缘层，所述堆叠结构具有沿第一方向布置的存储阵列区和台阶区；

至少一个栅线隙结构，至少沿所述第一方向延伸穿过所述台阶区，将所述堆叠结构分成多个分隔区域；

槽结构，沿着所述第一方向布置，并贯穿位于所述台阶区的所述堆叠结构；以及

多个接触通道，位于所述台阶区，各个所述接触通道分别连接至所述台阶区的各个台阶上的所述栅极层，

其中，所述槽结构包括第一槽结构和第二槽结构，

在所述第一槽结构水平延伸的方向上不设置所述接触通道，

在所述第二槽结构水平延伸的方向上，所述第二槽结构与所述接触通道交替地设置。

2.根据权利要求1所述的三维存储器件，其中，所述第一槽结构在所述衬底的表面的正投影的长度大于所述第二槽结构在所述衬底的表面的正投影的长度。

3.根据权利要求1所述的三维存储器件，其中，所述第一槽结构和所述第二槽结构沿着所述第一方向间断地延伸。

4.根据权利要求1所述的三维存储器件，其中，所述第一槽结构沿着所述第一方向连续地延伸，并且所述第二槽结构沿着所述第一方向间断地延伸。

5.根据权利要求1所述的三维存储器件，其中，所述第一槽结构邻近于相邻的两个分隔区域之间的所述栅线隙结构布置，以及所述第二槽结构远离相邻的两个分隔区域之间的所述栅线隙结构布置。

6.根据权利要求1所述的三维存储器件，其中，所述第二槽结构邻近于相邻的两个分隔区域之间的所述栅线隙结构布置，以及所述第一槽结构远离相邻的两个分隔区域之间的所述栅线隙结构布置。

7.根据权利要求1所述的三维存储器件，其中，至少一个所述接触通道在所述衬底的表面的正投影具有方形轮廓。

8.根据权利要求1所述的三维存储器件，其中，至少一个所述接触通道在所述衬底的表面的正投影具有圆形轮廓。

9.根据权利要求1所述的三维存储器件，其中，所述三维存储器件还包括多个沟道结构，所述多个沟道结构贯穿位于所述存储阵列区的所述堆叠结构，其中，每个所述沟道结构包括：沿着垂直于所述衬底的方向贯穿所述堆叠结构的沟道孔，以及沿着所述沟道孔的侧壁从外到内依次层叠的功能层和沟道层。

10.根据权利要求9所述的三维存储器件，其中，至少一个所述沟道结构在所述衬底的表面的正投影具有圆形轮廓。

11.根据权利要求1所述的三维存储器件，其中，所述槽结构在所述衬底的表面的正投影具有条形轮廓。

12.根据权利要求1所述的三维存储器件，其中，当在平面上观察时，相邻的两个所述分隔区域中的所述槽结构布置成相对于相邻的两个所述分隔区域之间的所述栅线隙结构对称。

13.根据权利要求1所述的三维存储器件，其中，所述槽结构是虚拟沟道结构，每个所述虚拟沟道结构包括：沿着垂直于所述衬底的方向贯穿所述堆叠结构的虚拟沟道孔，以及沿着所述虚拟沟道孔的侧壁形成的氧化物层。

14.根据权利要求1所述的三维存储器件，其中，所述三维存储器件为三维NAND闪存。