[发明专利]一种不同焊盘孔径的埋入型封装基板的电镀方法有效
申请号: | 202110551590.7 | 申请日: | 2021-05-20 |
公开(公告)号: | CN113299560B | 公开(公告)日: | 2022-12-27 |
发明(设计)人: | 杨杰;丁才华;王启东 | 申请(专利权)人: | 中国科学院微电子研究所 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48 |
代理公司: | 北京天达知识产权代理事务所有限公司 11386 | 代理人: | 庞许倩 |
地址: | 100029 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 不同 孔径 埋入 封装 电镀 方法 | ||
1.一种不同焊盘孔径的埋入型封装基板的电镀方法,其特征在于,所述封装基板包括连接板、基板和压合材料,在所述连接板和所述基板上均设置有焊盘,所述压合材料设置于所述连接板和所述基板上,在所述压合材料上设置有焊盘孔,以暴露所述连接板和所述基板上的焊盘;所述电镀方法包括:
确定各所述焊盘孔的孔径;
根据所述孔径,对所述不同焊盘孔径的焊盘孔进行分组;
分别对各所述组中的焊盘孔进行电镀;
其中,通过电镀分别在各所述焊盘孔上形成新的焊盘,每一个所述新的焊盘对应一个所述连接板上的焊盘或一个所述基板上的焊盘。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,
所述根据所述孔径,对所述不同焊盘孔径的焊盘孔进行分组,包括:
根据所述孔径大小,将孔径相同和/或相近的焊盘孔分为一组,所述孔径相近的焊盘孔为孔径差在预设取值范围内的焊盘孔。
3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,
所述分别对各所述组中的焊盘孔进行电镀,包括:
对所述各组对应的孔径大小进行排序,得到各所述组的电镀次序;
根据所述电镀次序,分别对各所述组的焊盘孔进行电镀。
4.根据权利要求1-3中任一项所述的方法,其特征在于,
所述对各所述组的焊盘孔进行电镀,包括:
步骤1、确定待电镀焊盘孔;
步骤2、在所述待电镀焊盘孔以外的区域涂覆光刻胶,得到涂有所述光刻胶的封装基板;
步骤3、对涂有所述光刻胶的封装基板上的待电镀焊盘孔进行电镀,得到焊盘;
步骤4、除去步骤3中剩余的光刻胶。
5.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,
按照所述电镀次序,所述组为第一电镀次序时,对第一电镀次序的组的焊盘孔进行电镀,包括:
步骤1、确定第一电镀次序的组的焊盘孔为待电镀焊盘孔,即第一焊盘孔,其余组的焊盘孔为第二焊盘孔;
步骤2、涂覆光刻胶封堵所述第二焊盘孔,得到涂有所述光刻胶的封装基板;
步骤3、对涂有所述光刻胶的封装基板上的第一焊盘孔进行电镀,得到焊盘;
步骤4、除去步骤3中剩余的光刻胶。
6.根据权利要求5所述的方法,其特征在于,
按照所述电镀次序,所述组为最后电镀次序时,对最后电镀次序的组的焊盘孔进行电镀,包括:
步骤1、包覆通过电镀得到的焊盘,得到涂有所述光刻胶的封装基板;
步骤2、对涂有所述光刻胶的封装基板上的最后电镀次序的组的焊盘孔进行电镀,得到焊盘;
步骤3、除去步骤2中剩余的光刻胶。
7.根据权利要求6所述的方法,其特征在于,
按照所述电镀次序,所述组为中间电镀次序时,对中间电镀次序的组的焊盘孔进行电镀,包括:
步骤1、确定所述中间电镀次序的组的焊盘孔为待电镀焊盘孔,即第一焊盘孔,未进行电镀的焊盘孔为第二焊盘孔;
步骤2、涂覆所述光刻胶封堵所述第二焊盘孔和包覆通过电镀得到的焊盘,得到涂有所述光刻胶的封装基板;
步骤3、对涂有所述光刻胶的封装基板上的第一焊盘孔进行电镀,得到焊盘;
步骤4、除去步骤3中剩余的光刻胶。
8.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,
所述步骤3包括:
根据所述待电镀焊盘孔的孔径设置电镀的工艺参数,所述工艺参数包括:电流密度、电镀时间和电镀类型中的一个或多个。
9.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,所述步骤2包括:
对所述待电镀焊盘孔以及在所述待电镀焊盘孔以外的区域涂覆光刻胶;
对所述待电镀焊盘孔进行光刻,除去所述待电镀焊盘孔中的光刻胶。
10.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述封装基板上的焊盘孔为欲设置的不同焊盘孔径的焊盘孔时,所述对各所述组的焊盘孔进行电镀,包括:
步骤S1、确定待电镀焊盘孔在所述封装基板上的位置信息;
步骤S2、根据所述位置信息和所述焊盘孔的孔径,在所述封装基板上设置所述待电镀焊盘孔;
步骤S3、在所述待电镀焊盘孔中设置种子层,在所述待电镀焊盘孔以外的区域,涂覆光刻胶;
步骤S4、对步骤S3中的所述待电镀焊盘孔进行电镀;
步骤S5、除去步骤S4中的所述种子层和所述光刻胶。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造