[发明专利]一种吸波器及电子设备有效

专利信息
申请号: 202110551795.5 申请日: 2021-05-20
公开(公告)号: CN113193382B 公开(公告)日: 2022-11-25
发明(设计)人: 时彦朋;孙渊博;刘笑宇;李美坪;宋金梅 申请(专利权)人: 山东大学
主分类号: H01Q17/00 分类号: H01Q17/00;H01Q15/00
代理公司: 济南圣达知识产权代理有限公司 37221 代理人: 张庆骞
地址: 250101 山东*** 国省代码: 山东;37
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摘要:
搜索关键词: 一种 吸波器 电子设备
【权利要求书】:

1.一种吸波器,其特征在于,包括金模层和至少两个硅金结构,所述硅金结构设置在金模层上,所述金模层用于阻挡电磁波的透射,所述硅金结构由从下到上的硅层和金层构成,所述硅金结构为圆柱体,所述圆柱体的半径大小用来决定所述吸波器的吸收峰波段;所述硅金结构的半径均不同;吸波器整体为周期性亚波长结构;所述吸波器还包括基底层,所述基底层用于支撑金模层。

2.一种吸波器,其特征在于,包括金模层和至少两个硅金结构,所述硅金结构设置在金模层上,所述金模层用于阻挡电磁波的透射,所述硅金结构由从下到上的硅层和金层构成,所述硅金结构为圆台体,所述硅金结构的数量用来决定所述吸波器的吸波频段;吸波器整体为周期性亚波长结构;

所述吸波器还包括基底层,所述基底层用于支撑金模层。

3.如权利要求2所述的吸波器,其特征在于,所述硅金结构的数量越少,所述吸波器的吸波频段越窄。

4.一种吸波器,其特征在于,包括金模层、至少一个第一硅金结构和至少一个第二硅金结构,所述第一硅金结构设置在金模层上,所述第二硅金结构设置在第一硅金结构上,所述金模层用于阻挡电磁波的透射,所述第一硅金结构和第二硅金结构均由从下到上的硅层和金层构成,所述第一硅金结构为圆柱体,所述第二硅金结构为圆台体,所述圆柱体的半径大小用来决定所述吸波器的吸收峰波段,所述第二硅金结构的数量用来决定所述吸波器的吸波频段;吸波器整体为周期性亚波长结构;

所述吸波器还包括基底层,所述基底层用于支撑金模层。

5.如权利要求4所述的吸波器,其特征在于,当所述第一硅金结构的数量为至少两个时,这些第一硅金结构的半径均不同;

或所述第二硅金结构的数量越少,所述吸波器的吸波频段越窄。

6.一种电子设备,其特征在于,包括如权利要求1所述的吸波器;

或包括如权利要求2-3中任一项所述的吸波器;

或包括如权利要求4-5中任一项所述的吸波器。

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