[发明专利]一种吸波器及电子设备

说明书

本发明属于太赫兹超材料吸波器领域，提供了一种吸波器及电子设备。其中，吸波器包括金模层和至少一个硅金结构，所述硅金结构设置在金模层上，所述金模层用于阻挡电磁波的透射，所述硅金结构由从下到上的硅层和金层构成，所述硅金结构为圆柱体，所述圆柱体的半径大小用来决定所述吸波器的吸收峰波段。其具有对入射波的入射角和极化角不敏感的优点。

技术领域

本发明属于太赫兹超材料吸波器领域，尤其涉及一种吸波器及电子设备。

背景技术

本部分的陈述仅仅是提供了与本发明相关的背景技术信息，不必然构成在先技术。

吸波器件在军事国防、医疗、电子产品等领域具有重要应用价值，太赫兹波由于宽带性、低能性、瞬态性近年来成为研究热点，因此太赫兹吸波器件具有实际应用意义和广泛市场。随着人工复合超材料的发展，各种不同材料、不同结构的金属和介质被设计为谐振单元来激发表面等离子激元从而达到吸波的效果，但是发明人发现，金属谐振器吸收太赫兹波的波段过窄使得其实际应用受到限制。

发明内容

为了解决上述背景技术中存在的技术问题，本发明的第一个方面提供一种吸波器，其具有对入射波的入射角和极化角不敏感的优点。

为了实现上述目的，本发明采用如下技术方案：

在一个或多个实施例中，一种吸波器，其包括金模层和至少一个硅金结构，所述硅金结构设置在金模层上，所述金模层用于阻挡电磁波的透射，所述硅金结构由从下到上的硅层和金层构成，所述硅金结构为圆柱体，所述圆柱体的半径大小用来决定所述吸波器的吸收峰波段。

作为一种实施方式，当所述硅金结构的数量为至少两个时，这些硅金结构的半径均不同。

作为一种实施方式，所述吸波器还包括基底层，所述基底层用于支撑金模层。

在一个或多个实施例中，一种吸波器，其包括金模层和至少一个硅金结构，所述硅金结构设置在金模层上，所述金模层用于阻挡电磁波的透射，所述硅金结构由从下到上的硅层和金层构成，所述硅金结构为圆台体，所述硅金结构的数量用来决定所述吸波器的吸波频段。

作为一种实施方式，所述硅金结构的数量越少，所述吸波器的吸波频段越窄。

作为一种实施方式，所述吸波器还包括基底层，所述基底层用于支撑金模层。

在一个或多个实施例中，一种吸波器，其包括金模层、至少一个第一硅金结构和至少一个第二硅金结构，所述第一硅金结构设置在金模层上，所述第二硅金结构设置在第一硅金结构上，所述金模层用于阻挡电磁波的透射，所述第一硅金结构和第二硅金结构均由从下到上的硅层和金层构成，所述第一硅金结构为圆柱体，所述第二硅金结构为圆台体，所述圆柱体的半径大小用来决定所述吸波器的吸收峰波段，所述第二硅金结构的数量用来决定所述吸波器的吸波频段。

作为一种实施方式，当所述第一硅金结构的数量为至少两个时，这些第一硅金结构的半径均不同。

作为一种实施方式，所述第二硅金结构的数量越少，所述吸波器的吸波频段越窄。

作为一种实施方式，所述吸波器还包括基底层，所述基底层用于支撑金模层。

本发明的第二个方面提供一种电子设备。

在一个或多个实施例中，一种电子设备，其包括上述任一所述的吸波器。

本发明的有益效果是：

(1)本发明提供了一种吸波器包括金模层和至少一个硅金结构，利用金模层阻挡电磁波的透射，硅金结构由从下到上的硅层和金层构成，硅金结构为圆柱体，通过改变圆柱体的半径大小来改变所述吸波器的吸收峰波段，而且硅金结构的数量对应吸收峰波段的数量，从而形成单波段或多波段吸波器。