[发明专利]具有封装后修复功能的存储器元件及其操作方法

说明书

本公开提供一种具有封装后修复功能的存储器元件及其操作方法。该操作方法包括提供一存储库，其是具有一存储器阵列以及一感测放大器，该感测放大器邻近该存储器阵列设置，其中该存储器阵列包括至少一缺陷列以及至少一关联列，且该至少一关联列通过多个位元线而电性连接到该感测放大器。该方法亦包括配置一冗余列，该冗余列邻近该存储器阵列设置，其中该冗余列通过该多个位元线而电性连接到该感测放大器。该方法亦包括启动该至少一关联列以传送在该至少一关联列中的数据到该感测放大器，闩锁该数据在该感测放大器中；启动该冗余列，以及传送该数据从该感测放大器到该冗余列。

技术领域

本公开主张2020年5月21日申请的美国正式申请案第16/879,944号的优先权及益处，该美国正式申请案的内容以全文引用的方式并入本文中。

背景技术

当存储器的密度提升时，一存储器元件的存储器胞是变得更加复杂且更容易出现许多缺陷。所述多个缺陷可造成元件错误及/或故障(failures)。在一些例子中，在存储器元件封装之前，所述多个存储器胞是正常的(normal)。在一些例子中，在存储器元件封装之后，是可发生所述多个故障。

在一先进存储器中，例如第4代双倍数据率随机存取存储器(double-data-rateRAM version 4，DDR4)，可包括一所谓的封装后修复(post package repair，PPR)功能。该PPR功能使一相容存储器控制器能够再分配来自一存储器模块的一缺陷列的多个存取(accesses)到为正常的存储器模块的一冗余列。

虽然PPR功能可使一存储器元件有效，而无须拆解存储器元件，修复工艺花费许多时间。因此，为了改善修复效率，有需要改善PPR功能。

上文的“现有技术”说明仅是提供背景技术，并未承认上文的“现有技术”说明披露本公开的标的，不构成本公开的现有技术，且上文的“现有技术”的任何说明均不应作为本公开的任一部分。

发明内容

本公开的一实施例提供一种操作一存储器元件的一封装后修复功能的方法。该方法包括提供一存储库(memory bank)，该存储库包括一存储器阵列以及一感测放大器(sense amplifier)，该感测放大器邻近该存储器阵列设置，其中该存储器阵列包括至少一缺陷列(defective row)以及至少一关联列(associated row)，该至少一关联列通过多个位元线而电性连接到该感测放大器；配置一冗余列(redundant row)在邻近该存储器阵列处，其中该冗余列通过该多个位元线而电性连接到该感测放大器；启动该至少一关联列以传送在该至少一关联列中的数据到该感测放大器；闩锁该数据在该感测放大器中；启动该冗余列；以及传送该数据从该感测放大器到该冗余列。

在本公开的一些实施例中，该至少一关联列是依据联合电子设备工程委员会(JEDEC)标准而与该至少一缺陷列相关联。

在本公开的一些实施例中，该方法还包括：配置一列解码器在邻近该存储器阵列处，其中在启动该至少一关联列的该步骤中，该列解码器响应于一关联列位址。

在本公开的一些实施例中，在启动该冗余列的该步骤中，该列解码器响应于一冗余列位址。

在本公开的一些实施例中，该至少一关联列包括多个关联存储器胞，所述多个关联存储器胞是通过一关联字元线而连接。

在本公开的一些实施例中，该冗余列包括多个冗余存储器胞，所述多个冗余存储器胞通过一冗余字元线而连接。

在本公开的一些实施例中，该存储器元件包括一第4代双倍数据率同步随机存取存储器(double-data-rate fourth generation synchronous dynamic random accessmemory，DDR4 SDRAM)模块。

在本公开的一些实施例中，该存储器元件还包括一封装后修复(PPR)模块。