[发明专利]一种承受内压及各种外部载荷的接管静强度的校核方法

权利要求书

1.一种承受内压及各种外部载荷的接管静强度的校核方法，所述接管(1)为变径接管，所述的接管(1)的变径处为b-b截面，其特征在于，具体校核方法包括下步骤：

步骤ⅰ、校核接管(1)壁厚；

步骤ⅱ、校核接管(1)b-b截面的膜及纯剪切应力值；

步骤ⅲ、校核接管(1)b-b截面的膜加弯及纯剪切应力值；

步骤ⅳ、推导膜加弯曲应力限制值系数α。

2.根据权利要求1所述的一种承受内压及各种外部载荷的接管静强度的校核方法，其特征在于：所述的步骤ⅰ中，校核接管b-b截面壁厚δ_nt的方法包括：

步骤ⅰ1、校核接管计算内压P_C；

P_C≤0.4[σ]^tφ (1)；

式中，[σ]^t-材料设计温度下许用应力，φ-焊接接头系数；

步骤ⅰ2、接管计算壁厚δ_nt；

式中，d_i-接管校核截面内径，图2中的δn是接管实际选用的壁厚。

3.根据权利要求2所述的一种承受内压及各种外部载荷的接管静强度的校核方法，其特征在于：所述的步骤ⅱ中，校核各载荷在接管b-b截面壁产生的当量膜及纯剪切应力值的方法包括：

步骤ⅱ1、计算接管因内压在b-b截面壁产生的环向膜应力σ_θ；

式中，K-接管的外径与内径比值；

步骤ⅱ2、计算接管因内压在b-b截面壁产生的轴向膜应力σ_LP；

步骤ⅱ3、计算接管因内压在b-b截面壁产生的径向膜应力σ_rP；

步骤ⅱ4、计算载荷弯矩M在接管b-b截面壁产生的轴向弯曲膜应力σ_M；

式中，M-载荷弯矩，R_m-接管校核截面平均半径，d_O-接管b-b截面处接管外径，I-接管b-b截面处的轴惯性矩；

步骤ⅱ5、计算扭矩载荷T在接管b-b截面壁产生的环向剪切膜应力τ_θT；

式中，T-扭矩载荷，J-接管b-b截面处接管的极惯性矩；

步骤ⅱ6、计算接管因径向载荷V而在接管b-b截面壁产生的轴向弯曲膜应力σ_LV；

式中，V-径向载荷，h-接管b-b截面距载荷V加载平面的距离；

步骤ⅱ7、计算接管因径向载荷V而在接管b-b截面壁产生的环向剪切膜应力τ_θV；

式中，A-接管b-b截面处接管的截面面积；

步骤ⅱ8、计算轴向载荷N在接管b-b截面壁产生的轴向膜应力σ_LN；

步骤ⅱ9、计算接管b-b截面的当量膜及纯剪切应力值；

依据第四强度理论求得接管b-b截面的当量膜应力值：

接管b-b截面的当量膜应力的限制值为1.0[σ]^t，校核截面的最大剪切应力强度的限制值为0.6[σ]^t。

4.根据权利要求2所述的一种承受内压及各种外部载荷的接管静强度的校核方法，其特征在于：所述的步骤ⅲ中，校核各载荷在接管b-b截面外表面产生的当量膜加弯及纯剪切应力值的方法包括：

步骤ⅲ1、计算载荷弯矩M在接管b-b截面外表面产生的轴向弯曲应力σ_Mo；

式中，R_o-接管b-b截面外半径；

步骤ⅲ2、计算接管因径向载荷V而在接管b-b截面外表面产生的轴向弯曲应力σ_LVo；

其它各项计算公式及计算应力值与步骤ii相同；

依据第四强度理论计算式(3)计算接管b-b截面外表面的膜加弯及纯剪切应力值，其当量应力的限制值为α[σ]^t，校核截面外表面的最大剪切应力强度的限制值为0.6[σ]^T。