[发明专利]一种承受内压及各种外部载荷的接管静强度的校核方法

说明书

本发明涉及一种承受内压及各种外部载荷的接管静强度的校核方法，属于承压设备技术领域。包括接管，所述接管为变径接管，所述的接管的变径处为b‑b截面，具体校核方法包括下步骤：步骤ⅰ、校核接管壁厚；步骤ⅱ、校核接管b‑b截面的膜及纯剪切应力值；步骤ⅲ、校核接管b‑b截面的膜加弯及纯剪切应力值；步骤ⅳ、推导膜加弯曲应力限制值系数α。明确接管校核截面的一次及一次膜加弯曲及纯剪切应力的校核方法，解决工程设计人员设计此类零部件的困惑，切实可行的应用到实际的设计活动中。

技术领域

本发明涉及一种接管静强度的校核方法，属于承压设备技术领域。

背景技术

目前承压设备远离开孔补强区域的接管的一次应力的静强度校核，没有资料给予明确的校核方法。特别是接管受外载荷时的静强度的校核没有资料能够给出确切的校核方法。

基于上述问题，亟需提出一种承受内压及各种外部载荷时的接管静强度的校核方法，以解决上述技术问题。

发明内容

本发明提供一种承受内压及各种外部载荷的接管静强度的校核方法，其目的是为了解决上述技术问题，进而提供基于承受内压及各种外部载荷的接管静强度的校核方法。在下文中给出了关于本发明的简要概述，以便提供关于本发明的某些方面的基本理解。应当理解，这个概述并不是关于本发明的穷举性概述。它并不是意图确定本发明的关键或重要部分，也不是意图限定本发明的范围。

本发明的技术方案：

一种承受内压及各种外部载荷的接管静强度的校核方法，包括接管，所述接管为变径接管，所述的接管的变径处为b-b截面，具体校核方法包括下步骤：

步骤ⅰ、校核接管壁厚；

步骤ⅱ、校核接管b-b截面的膜及纯剪切应力值；

步骤ⅲ、校核接管b-b截面的膜加弯及纯剪切应力值；

步骤ⅳ、推导膜加弯曲应力限制值系数α。

优选的：所述的步骤ⅰ中，校核接管b-b截面壁厚δ_nt的方法包括：

步骤ⅰ1、校核接管计算内压P_C；

P_C≤0.4[σ]^tφ (1)；

式中，[σ]^t-材料设计温度下许用应力，φ-焊接接头系数；

步骤ⅰ2、接管计算壁厚δ_nt；

式中，d_i-接管校核截面内径，说明书附图中图2中的δ_n是接管实际采用的壁厚。

优选的：所述的步骤ⅱ中，校核各载荷在接管b-b截面壁产生的当量膜应力值的方法包括：

步骤ⅱ1、计算接管因内压在b-b截面壁产生的环向膜应力σ_θ；

式中，K-接管的外径与内径比值；

步骤ⅱ2、计算接管因内压在b-b截面壁产生的轴向膜应力σ_LP；

步骤ⅱ3、计算接管因内压在b-b截面壁产生的径向膜应力σ_rP；

步骤ⅱ4、计算载荷弯矩M在接管b-b截面壁产生的轴向弯曲膜应力σ_M；