[发明专利]PERC电池背铝的金属诱导复合值的测试方法及系统在审
申请号: | 202110555548.2 | 申请日: | 2021-05-21 |
公开(公告)号: | CN113299574A | 公开(公告)日: | 2021-08-24 |
发明(设计)人: | 郭方箐;陈刚 | 申请(专利权)人: | 浙江爱旭太阳能科技有限公司;广东爱旭科技有限公司;天津爱旭太阳能科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;G01N27/00 |
代理公司: | 深圳盛德大业知识产权代理事务所(普通合伙) 44333 | 代理人: | 贾振勇 |
地址: | 322000 浙江省*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | perc 电池 金属 诱导 复合 测试 方法 系统 | ||
1.一种PERC电池背铝的金属诱导复合值的测试方法,其特征在于,所述测试方法包括:
将待测试电池片分为多个区域,所述多个区域包括第一电池区域、多个第二电池区域和多个第三电池区域,所述第一电池区域为无栅线的区域,所述第二电池区域为有栅线的开槽区域,所述第三电池区域为有栅线的非开槽区域,多个所述第二电池区域的栅线数量不同,多个所述第三电池区域的栅线数量不同;
分别测试所述第一电池区域、多个所述第二电池区域和多个所述第三电池区域的暗饱和电流密度,以得到第一测试值、多个第二测试值和多个第三测试值;
根据所述第一测试值、多个所述第二测试值和多个所述第三测试值,确定所述待测试电池片的激光槽的槽内金属诱导复合值和槽外金属诱导复合值。
2.根据权利要求1所述的PERC电池背铝的金属诱导复合值的测试方法,其特征在于,根据所述第一测试值、多个所述第二测试值和多个所述第三测试值确定所述待测试电池片的激光槽的槽内金属诱导复合值和槽外金属诱导复合值,包括:
根据所述第一测试值和多个所述第三测试值,确定所述槽外金属诱导复合值;
根据所述槽外金属诱导复合值、所述第一测试值和多个所述第二测试值,确定所述槽内金属诱导复合值。
3.根据权利要求2所述的PERC电池背铝的金属诱导复合值的测试方法,其特征在于,根据所述第一测试值和多个所述第三测试值确定所述槽外金属诱导复合值,包括:
根据多个所述第三测试值拟合槽外曲线;
确定所述槽外曲线的斜率;
根据所述槽外曲线的斜率和所述第一测试值确定所述槽外金属诱导复合值。
4.根据权利要求3所述的PERC电池背铝的金属诱导复合值的测试方法,其特征在于,在所述根据所述槽外曲线的斜率和所述第一测试值确定所述槽外金属诱导复合值的步骤中,采用如下公式:
J0,Al=k1+J0,pass;
其中,J0,Al为所述槽外金属诱导复合值,k1为所述槽外曲线的斜率,J0,pass为所述第一测试值。
5.根据权利要求2所述的PERC电池背铝的金属诱导复合值的测试方法,其特征在于,根据所述槽外金属诱导复合值、所述第一测试值和多个所述第二测试值,确定所述槽内金属诱导复合值,包括:
根据多个所述第二测试值拟合槽内曲线;
确定所述槽内曲线的斜率;
获取所述第二电池区域内激光开槽区域外的栅线覆盖面积与激光开槽面积的比值;
根据所述槽内曲线的斜率、所述槽外金属诱导复合值、所述比值和所述第一测试值确定所述槽内金属诱导复合值。
6.根据权利要求5所述的PERC电池背铝的金属诱导复合值的测试方法,其特征在于,在所述根据所述槽内曲线的斜率、所述槽外金属诱导复合值、所述比值和所述第一测试值确定所述槽内金属诱导复合值的步骤中,采用如下公式:
J0,Al-BSF=k2+J0,pass+d*J0,pass-d*J0,Al;
其中,J0,Al-BSF为所述槽内金属诱导复合值,k2为所述槽内曲线的斜率,J0,pass为所述第一测试值,d为所述第二电池区域内激光开槽区域外的栅线覆盖面积与激光开槽面积的比值,J0,Al为所述槽外金属诱导复合值。
7.根据权利要求1所述的PERC电池背铝的金属诱导复合值的测试方法,其特征在于,在所述将待测试电池片分为多个区域的步骤前,所述测试方法包括:
在背面激光开槽后的待印刷电池片上,利用预设的测试网版印刷电路,所述测试网版的多个区域与所述待测试电池片的多个区域一一对应;
烧结印刷了电路的电池片,以得到所述待测试电池片。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造