[发明专利]PERC电池背铝的金属诱导复合值的测试方法及系统在审
申请号: | 202110555548.2 | 申请日: | 2021-05-21 |
公开(公告)号: | CN113299574A | 公开(公告)日: | 2021-08-24 |
发明(设计)人: | 郭方箐;陈刚 | 申请(专利权)人: | 浙江爱旭太阳能科技有限公司;广东爱旭科技有限公司;天津爱旭太阳能科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;G01N27/00 |
代理公司: | 深圳盛德大业知识产权代理事务所(普通合伙) 44333 | 代理人: | 贾振勇 |
地址: | 322000 浙江省*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | perc 电池 金属 诱导 复合 测试 方法 系统 | ||
本申请适用于太阳能电池技术领域,提供了一种PERC电池背铝的金属诱导复合值的测试方法及系统。测试方法包括:将待测试电池片分为多个区域,多个区域包括第一电池区域、多个第二电池区域和多个第三电池区域,第一电池区域为无栅线的区域,第二电池区域为有栅线的开槽区域,第三电池区域为有栅线的非开槽区域,多个第二电池区域的栅线数量不同,多个第三电池区域的栅线数量不同;分别测试第一电池区域、多个第二电池区域和多个第三电池区域的暗饱和电流密度,以得到第一测试值、多个第二测试值和多个第三测试值;根据第一测试值、多个第二测试值和多个第三测试值,确定待测试电池片的激光槽的槽内金属诱导复合值和槽外金属诱导复合值。
技术领域
本申请属于太阳能电池技术领域,尤其涉及一种PERC电池背铝的金属诱导复合值的测试方法及系统。
背景技术
相关技术主要针对TOPCon电池或者无SE的PERC电池进行银浆的金属诱导复合测试。由于铝浆在PERC电池的背面不与发射极接触,且铝浆的复合机理与银浆的复合机理不同,故不能用正常的银浆金属诱导复合测试方法对铝浆进行测试。而目前也没有背铝的槽内及槽外金属诱导复合的测试方法。基于此,如何进行电池背铝的金属诱导复合值的测试,成为了亟待解决的问题。
发明内容
本申请提供一种PERC电池背铝的金属诱导复合值的测试方法及系统,旨在解决如何进行电池背铝的金属诱导复合值的测试的问题。
第一方面,本申请提供的PERC电池背铝的金属诱导复合值的测试方法,包括:
将待测试电池片分为多个区域,所述多个区域包括第一电池区域、多个第二电池区域和多个第三电池区域,所述第一电池区域为无栅线的区域,所述第二电池区域为有栅线的开槽区域,所述第三电池区域为有栅线的非开槽区域,多个所述第二电池区域的栅线数量不同,多个所述第三电池区域的栅线数量不同;
分别测试所述第一电池区域、多个所述第二电池区域和多个所述第三电池区域的暗饱和电流密度,以得到第一测试值、多个第二测试值和多个第三测试值;
根据所述第一测试值、多个所述第二测试值和多个所述第三测试值,确定所述待测试电池片的激光槽的槽内金属诱导复合值和槽外金属诱导复合值。
可选地,根据所述第一测试值、多个所述第二测试值和多个所述第三测试值确定所述待测试电池片的激光槽的槽内金属诱导复合值和槽外金属诱导复合值,包括:
根据所述第一测试值和多个所述第三测试值,确定所述槽外金属诱导复合值;
根据所述槽外金属诱导复合值、所述第一测试值和多个所述第二测试值,确定所述槽内金属诱导复合值。
可选地,根据所述第一测试值和多个所述第三测试值确定所述槽外金属诱导复合值,包括:
根据多个所述第三测试值拟合槽外曲线;
确定所述槽外曲线的斜率;
根据所述槽外曲线的斜率和所述第一测试值确定所述槽外金属诱导复合值。
可选地,在所述根据所述槽外曲线的斜率和所述第一测试值确定所述槽外金属诱导复合值的步骤中,采用如下公式:
J0,Al=k1+J0,pass;
其中,J0,Al为所述槽外金属诱导复合值,k1为所述槽外曲线的斜率,J0,pass为所述第一测试值。
可选地,根据所述槽外金属诱导复合值、所述第一测试值和多个所述第二测试值,确定所述槽内金属诱导复合值,包括:
根据多个所述第二测试值拟合槽内曲线;
确定所述槽内曲线的斜率;
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于浙江爱旭太阳能科技有限公司;广东爱旭科技有限公司;天津爱旭太阳能科技有限公司,未经浙江爱旭太阳能科技有限公司;广东爱旭科技有限公司;天津爱旭太阳能科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造