[发明专利]具有引线尖端检查特征的半导体封装

权利要求书

1.一种形成半导体器件的方法，包括：

提供载体；

在所述载体上安装多个半导体管芯；

在所述载体上形成覆盖所述半导体管芯中的每个半导体管芯的电绝缘包封物材料的区域；

去除所述包封物材料的区段以在所述半导体管芯中的每个半导体管芯之间的电绝缘包封物材料的所述区域中形成间隙；

在所述间隙内形成导电材料；以及

沿所述间隙中的每个间隙使电绝缘包封物材料的所述区域单个化，以形成多个分立包封物主体；

其中，封装半导体器件中的每个封装半导体器件包括设置在所述包封物主体的侧壁上的面向侧壁的端子；

其中，对于所述封装半导体器件中的每个封装半导体器件，所述面向侧壁的端子电连接到相应的封装半导体器件的所述半导体管芯，

其中，从形成在所述间隙内的所述导电材料中提供每个封装半导体器件的所述面向侧壁的端子。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，对于所述封装半导体器件中的每个封装半导体器件，所述面向侧壁的端子在所述包封物主体的顶表面和底表面之间完全延伸。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，在使电绝缘包封物材料的所述区域单个化之后，所述封装半导体器件中的每个封装半导体器件包括所述包封物主体的所述侧壁中的在所述顶表面和所述底表面之间延伸的凹槽，并且其中，对于所述封装半导体器件中的每个封装半导体器件，所述面向侧壁的端子设置在所述凹槽内。

4.根据权利要求3所述的方法，还包括：在使电绝缘包封物材料的所述区域单个化之后执行另一切割步骤，使得所述包封物主体的所述侧壁与所述面向侧壁的端子基本共面。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，对于所述封装半导体器件中的每个封装半导体器件，所述面向侧壁的端子是从所述侧壁连续延伸到所述包封物主体的所述顶表面和所述底表面中的一者或两者的部分或导电区域。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述包封物材料包括可激光活化模制化合物，并且其中，在所述间隙内形成所述导电材料包括：

在所述可激光活化模制化合物上施加激光，从而在所述可激光活化模制化合物中形成激光活化表面；以及

执行镀覆工艺，所述镀覆工艺在所述激光活化表面中形成所述导电材料。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，形成电绝缘包封物材料的所述区域包括：利用第一模制化合物材料包封所述半导体管芯中的每个半导体管芯；以及在所述第一模制化合物材料上形成所述可激光活化模制化合物，使得在所述分立包封物主体的外表面处暴露所述可激光活化模制化合物。

8.根据权利要求6所述的方法，其中，所述镀覆工艺是电镀工艺。

9.根据权利要求6所述的方法，其中，所述镀覆工艺是无电镀覆工艺。

10.根据权利要求1所述的方法，其中，所述半导体管芯中的每个半导体管芯包括设置在主表面和与所述主表面相对的后表面上的多个导电端子，并且其中，所述半导体管芯均安装在所述载体上，使得所述主表面背离所述载体。

11.根据权利要求1所述的方法，其中，所述半导体管芯中的每个半导体管芯包括具有多个键合焊盘的主表面以及与所述主表面相对的后表面，其中，所述半导体管芯均安装在所述载体上，使得所述主表面面向所述载体。

12.根据权利要求11所述的方法，还包括：从电绝缘包封物材料的所述区域去除所述载体；以及在去除所述包封物材料的所述区段之前将电绝缘包封物材料的所述区域转移到转移层合物，并且其中，去除所述包封物材料的区段和形成所述导电材料是在电绝缘包封物材料的所述区域设置在所述转移层合物上的情况下执行的。