[发明专利]声波谐振结构、滤波器及声波谐振结构的制造方法在审
申请号: | 202110558790.5 | 申请日: | 2021-05-21 |
公开(公告)号: | CN113328725A | 公开(公告)日: | 2021-08-31 |
发明(设计)人: | 高智伟;杨骐玮 | 申请(专利权)人: | 武汉衍熙微器件有限公司 |
主分类号: | H03H9/25 | 分类号: | H03H9/25;H03H9/17;H03H9/56;H03H9/64;H03H3/02;H03H3/08;H03H9/13;H03H9/145 |
代理公司: | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人: | 王军红;张颖玲 |
地址: | 430205 湖北省武汉市江夏区藏龙岛*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 声波 谐振 结构 滤波器 制造 方法 | ||
1.一种声波谐振结构,其特征在于,包括:
衬底;
依次层叠于衬底上的反射结构、第一电极层、压电层和第二电极层;
位于所述第二电极层上的保护层;其中,所述保护层与所述第二电极层之间形成有第一空腔;
位于所述保护层上的第一强化层和第二强化层;其中,所述第一强化层与所述第一电极层电性连接,所述第二强化层与所述第二电极层电性连接,且所述第一强化层和所述第二强化层彼此不电性连接;所述第一强化层用于作为第一电极层的焊接层,所述第二强化层用于作为第二电极层的焊接层。
2.根据权利要求1所述的谐振结构,其特征在于,所述第一强化层与所述第二强化层之间形成有空隙;或者,所述第一强化层与所述第二强化层之间形成有绝缘层。
3.根据权利要求1所述的谐振结构,其特征在于,所述第一强化层的材料和所述第二强化层的材料包括导电材料,且所述第一强化层的材料和所述第二强化层的材料的压缩强度均大于所述保护层的材料的压缩强度。
4.根据权利要求3所述的谐振结构,其特征在于,所述第一强化层的材料和所述第二强化层的材料包括金属。
5.根据权利要求1所述的谐振结构,其特征在于,所述谐振结构还包括:位于所述保护层与所述第一电极层之间的第一支撑层,及位于所述保护层与所述第二电极层之间的第二支撑层;其中,所述第一支撑层和所述第二支撑层的材料均包括导电材料或不导电材料。
6.根据权利要求5所述的谐振结构,其特征在于,
当所述第一支撑层和所述第二支撑层的材料为导电材料时,所述第一强化层通过所述第一支撑层与所述第一电极层电性连接,所述第二强化层通过所述第二支撑层与所述第二电极层电性连接;
当所述第一支撑层和所述第二支撑层的材料为不导电材料时,所述谐振结构还包括:在第一强化层与第一电极层之间的第一导电层,在第二强化层与第二电极层之间的第二导电层;所述第一强化层通过所述第一导电层与所述第一电极层电性连接,所述第二强化层通过所述第二导电层与所述第二电极层电性连接。
7.根据权利要求1所述的谐振结构,其特征在于,所述谐振结构还包括:
位于所述第一强化层和第二强化层上的凸点底部金属层;
位于所述凸点底部金属层上的焊料凸点。
8.根据权利要求1所述的谐振结构,其特征在于,所述第一强化层和所述第二强化层的厚度相同。
9.根据权利要求1所述的谐振结构,其特征在于,所述第一强化层和所述第二强化层的面积相同或不同。
10.根据权利要求1所述的谐振结构,其特征在于,所述第一强化层的材料和所述第二强化层的材料相同或不同。
11.一种滤波器,其特征在于,所述滤波器包括:
多个权利要求1至权利要求10任一项所述的谐振结构;
封装基板;
其中,所述多个谐振结构中的每个谐振结构通过相应的第一强化层和第二强化层分别与所述封装基板电性连接。
12.根据权利要求11所述的滤波器,其特征在于,所述封装基板中包括布线层;所述多个谐振结构通过所述布线层实现所述谐振结构之间的串联或并联连接。
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