[发明专利]声波谐振结构、滤波器及声波谐振结构的制造方法在审
申请号: | 202110558790.5 | 申请日: | 2021-05-21 |
公开(公告)号: | CN113328725A | 公开(公告)日: | 2021-08-31 |
发明(设计)人: | 高智伟;杨骐玮 | 申请(专利权)人: | 武汉衍熙微器件有限公司 |
主分类号: | H03H9/25 | 分类号: | H03H9/25;H03H9/17;H03H9/56;H03H9/64;H03H3/02;H03H3/08;H03H9/13;H03H9/145 |
代理公司: | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人: | 王军红;张颖玲 |
地址: | 430205 湖北省武汉市江夏区藏龙岛*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 声波 谐振 结构 滤波器 制造 方法 | ||
本发明实施例公开了一种声波谐振结构、滤波器及声波谐振结构的制造方法,其中,所述声波谐振结构包括:衬底;依次层叠于衬底上的反射结构、第一电极层、压电层和第二电极层;位于所述第二电极层上的保护层;其中,所述保护层与所述第二电极层之间形成有第一空腔;位于所述保护层上的第一强化层和第二强化层;其中,所述第一强化层与所述第一电极层电性连接,所述第二强化层与所述第二电极层电性连接,且所述第一强化层和所述第二强化层彼此不电性连接;所述第一强化层用于作为第一电极层的焊接层,所述第二强化层用于作为第二电极层的焊接层。
技术领域
本发明实施例涉及半导体领域,特别涉及一种声波谐振结构、滤波器及声波谐振结构的制造方法。
背景技术
在广泛使用的诸如移动电话的通信设备中,通常包括使用声波的声波器件作为通讯设备的滤波器。作为声波器件的示例,存在使用表面声波(SAW,Surface Acoustic Wave)的器件、或者使用体声波(BAW,Bulk Acoustic Wave)的器件等。声波器件的性能会影响通信设备的通信效果。
随着通讯技术的发展,如何在顺应通信设备集成化和小型化发展趋势的同时,提高声波器件的性能成为亟待解决的问题。
发明内容
有鉴于此,本发明实施例提供一种声波谐振结构、滤波器及声波谐振结构的制造方法。
本发明实施例提供了一种声波谐振结构,包括:
衬底;
依次层叠于衬底上的反射结构、第一电极层、压电层和第二电极层;
位于第二电极层上的保护层;其中,保护层与第二电极层之间形成有第一空腔;
位于保护层上的第一强化层和第二强化层;其中,第一强化层与第一电极层电性连接,第二强化层与第二电极层电性连接,且第一强化层和第二强化层彼此不电性连接;第一强化层用于作为第一电极层的焊接层,第二强化层用于作为第二电极层的焊接层。
上述方案中,第一强化层与第二强化层之间形成有空隙;或者,第一强化层与第二强化层之间形成有绝缘层。
上述方案中,第一强化层的材料和第二强化层的材料包括导电材料,且第一强化层的材料和第二强化层的材料的压缩强度均大于保护层的材料的压缩强度。
上述方案中,第一强化层的材料和第二强化层的材料包括金属。
上述方案中,谐振结构还包括:位于保护层与第一电极层之间的第一支撑层,及位于保护层与第二电极层之间的第二支撑层;其中,第一支撑层和第二支撑层的材料均包括导电材料或不导电材料。
上述方案中,
当第一支撑层和第二支撑层的材料为导电材料时,第一强化层通过第一支撑层与第一电极层电性连接,第二强化层通过第二支撑层与第二电极层电性连接;
当第一支撑层和第二支撑层的材料为不导电材料时,谐振结构还包括:在第一强化层与第一电极层之间的第一导电层,在第二强化层与第二电极层之间的第二导电层;第一强化层通过第一导电层与第一电极层电性连接,第二强化层通过第二导电层与第二电极层电性连接。
上述方案中,谐振结构还包括:
位于第一强化层和第二强化层上的凸点底部金属层(UBM,Under Bump Metal);
位于凸点底部金属层上的焊料凸点。
上述方案中,第一强化层和第二强化层的厚度相同。
上述方案中,第一强化层和第二强化层的面积相同或不同。
上述方案中,第一强化层的材料和第二强化层的材料相同或不同。
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