[发明专利]防止因过擦除造成读错误的方法、装置、存储介质和终端在审
申请号: | 202110558999.1 | 申请日: | 2021-05-21 |
公开(公告)号: | CN113409859A | 公开(公告)日: | 2021-09-17 |
发明(设计)人: | 冯鹏亮;陈纬荣;陈慧;王明 | 申请(专利权)人: | 芯天下技术股份有限公司 |
主分类号: | G11C16/34 | 分类号: | G11C16/34 |
代理公司: | 佛山市海融科创知识产权代理事务所(普通合伙) 44377 | 代理人: | 陈志超;唐敏珊 |
地址: | 518000 广东省深圳市龙岗区园山街*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 防止 擦除 造成 错误 方法 装置 存储 介质 终端 | ||
1.一种防止因过擦除造成读错误的方法,其特征在于,具体包括以下步骤:
接收擦除暂停指令;
响应所述擦除暂停指令中断擦除指令退出;
接收读操作指令;
根据所述读操作指令对芯片内不需要执行读操作的存储单元施加负电压,对芯片内需要进行读操作的存储单元施加正电压。
2.根据权利要求1所述的防止因过擦除造成读错误的方法,其特征在于,芯片中响应所述擦除暂停指令中断擦除指令退出的存储单元和执行读操作指令的存储单元位于芯片的同一个列中。
3.根据权利要求2所述的防止因过擦除造成读错误的方法,其特征在于,芯片中响应所述擦除暂停指令中断擦除指令退出的存储单元和执行读操作指令的存储单元位于两个不同的块中,两个不同的块位于芯片的同一个列中。
4.根据权利要求2所述的防止因过擦除造成读错误的方法,其特征在于,芯片中响应所述擦除暂停指令中断擦除指令退出的存储单元和执行读操作指令的存储单元位于两个不同的扇区中,两个不同的扇区位于芯片的同一个列中。
5.根据权利要求1所述的防止因过擦除造成读错误的方法,其特征在于,通过负电荷泵对芯片内不需要执行读操作的存储单元施加负电压,所述负电荷泵在响应所述擦除暂停指令中断擦除指令退出同时启动。
6.根据权利要求1所述的防止因过擦除造成读错误的方法,其特征在于,通过负电压电路为芯片内不需要执行读操作的存储单元施加负电压。
7.根据权利要求1所述的防止因过擦除造成读错误的方法,其特征在于,通过负压输出电源为芯片内不需要执行读操作的存储单元施加负电压。
8.一种防止因过擦除造成读错误的装置,其特征在于,包括:
暂停指令接收模块,接收擦除暂停指令;
响应退出模块,响应所述擦除暂停指令中断擦除指令退出;
读指令接收模块,接收读操作指令;
电压施加模块,根据所述读操作指令对芯片内不需要执行读操作的存储单元施加负电压,对芯片内需要进行读操作的存储单元施加正电压。
9.一种存储介质,其特征在于,所述存储介质中存储有计算机程序,当所述计算机程序在计算机上运行时,使得所述计算机执行权利要求1至7任一项所述的方法。
10.一种终端,其特征在于,包括处理器和存储器,所述存储器中存储有计算机程序,所述处理器通过调用所述存储器中存储的所述计算机程序,用于执行权利要求1至7任一项所述的方法。
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