[发明专利]防止因过擦除造成读错误的方法、装置、存储介质和终端

说明书

本发明公开了一种防止因过擦除造成读错误的方法、装置、存储介质和终端，在接收到擦除暂停指令时，立即响应擦除暂停指令中断擦除指令退出，满足指令响应的时间要求，在响应擦除中断的同时启动负电荷泵；在擦除暂停期间如果接收到读操作指令，通过负电荷泵对芯片内不需要执行读操作的存储单元施加负电压，通过正电荷泵对芯片内需要进行读操作的存储单元施加正电压，这样不但可以避免由于过擦除单元的存在导致读数据出错的问题，还可以保证读指令的响应时间要求。

技术领域

本发明涉及flash技术领域，尤其涉及的是一种防止因过擦除造成读错误的方法、装置、存储介质和终端。

背景技术

在NOR FLASH在擦除阵列A(Array A)内的扇区A(sector A)过程中，如果接收到暂停指令(erase suspend command)，若此时内部算法流程正在处于擦除的步骤（如图1所示），还没有到修复“过擦除”单元的步骤就暂停(即分支2)，那么在擦除暂停期间如果读取同一个阵列A（Array A）内的另一个扇区B（sectorB）的数据时可能会出错，读出的数据是一个随机值(取决于扇区A中“过擦除”单元的数量和分布，因为“过擦除”单元的阈值电压一般为负值，在读取扇区B的数据时，若扇区B中存在“过擦除”单元，0v不能使“过擦除”单元关闭，“过擦除”单元会产生电流，导致读数据出错，如图2所示)。

为避免上述的问题，现有的做法是：在收到擦除暂停指令后，先执行过擦除修复之后再响应用户暂停擦除指令，以此来消除“过擦除”单元对其他sector的读数据错误（如图3所示），然而过擦除修复往往需要比较久的时间，无法满足用户对擦除暂停的响应的时间要求（Tsus）。

因此，现有的技术还有待于改进和发展。

发明内容

本发明的目的在于提供一种防止因过擦除造成读错误的方法、装置、存储介质和终端，旨在解决现有技术不能同时兼顾在NOR FLASH接收到擦除暂停指令后快速执行响应的时间要求和避免暂停期间过擦除造成读错误的问题。

本发明的技术方案如下：本技术方案提供一种防止因过擦除造成读错误的方法，具体包括以下步骤：

接收擦除暂停指令；

响应所述擦除暂停指令中断擦除指令退出；

接收读操作指令；

根据所述读操作指令对芯片内不需要执行读操作的存储单元施加负电压，对芯片内需要进行读操作的存储单元施加正电压。

本技术方案中，在接收到擦除暂停指令时，立即响应擦除暂停指令中断擦除指令退出，满足指令响应的时间要求；在擦除暂停期间如果接收到读操作指令，则对芯片内不需要执行读操作的存储单元施加负电压，对芯片内需要进行读操作的存储单元施加正电压，这样可以避免由于过擦除单元的存在导致读数据出错的问题。

进一步地，芯片中响应所述擦除暂停指令中断擦除指令退出的存储单元和执行读操作指令的存储单元位于芯片的同一个列中。

进一步地，芯片中响应所述擦除暂停指令中断擦除指令退出的存储单元和执行读操作指令的存储单元位于两个不同的块中，两个不同的块位于芯片的同一个列中。

进一步地，芯片中响应所述擦除暂停指令中断擦除指令退出的存储单元和执行读操作指令的存储单元位于两个不同的扇区中，两个不同的扇区位于芯片的同一个列中。

进一步地，通过负电荷泵对芯片内不需要执行读操作的存储单元施加负电压，所述负电荷泵在响应所述擦除暂停指令中断擦除指令退出同时启动。

进一步地，通过负电压电路为芯片内不需要执行读操作的存储单元施加负电压。

进一步地，通过负压输出电源为芯片内不需要执行读操作的存储单元施加负电压。

本技术方案还提供一种防止因过擦除造成读错误的装置，包括：

暂停指令接收模块，接收擦除暂停指令；