[发明专利]通信激光器半导体芯片及其制作方法

权利要求书

1.一种通信激光器半导体芯片的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：

S1，将待端面镀膜的晶圆进行解条夹条得到Bar条，并进行处理；

S2，处理完后在待镀Bar条的出光腔面依次镀三层高透过膜系，三层所述高透过膜系分别为第一Si膜、第一SiO膜以及第一SiO₂：H膜；

S3，在完成出光腔面的镀膜后，接着对待镀Bar条的背光腔面依次镀四层高反射膜系，四层所述高反射膜系分别为第二SiO膜、第二Si膜、第二SiO₂：H膜以及第三Si膜。

2.如权利要求1所述的通信激光器半导体芯片的制作方法，其特征在于：在所述S2步骤中，所述第一Si膜的厚度在10～25nm之间，所述第一SiO膜的厚度在90～120nm之间，所述第一SiO₂：H膜的厚度在70～90nm之间。

3.如权利要求1所述的通信激光器半导体芯片的制作方法，其特征在于：在所述S3步骤中，所述第二SiO膜的厚度在40～80nm之间，所述第二Si膜的厚度在70～90nm之间，所述第二SiO₂：H膜的厚度在180～240nm之间，所述第三Si膜的厚度在90～110nm之间。

4.如权利要求1所述的通信激光器半导体芯片的制作方法，其特征在于，在所述S1步骤中，处理的具体方式包括：

S10，减少所述Bar条在空气中的暴露时间并快速进蒸发镀膜设备中抽真空；

S11，待腔体真空达到预定高真空后，开始对待镀产品进行等离子清洗处理。

5.如权利要求4所述的通信激光器半导体芯片的制作方法，其特征在于：在所述S10步骤中，将腔体加热至180～250℃。

6.如权利要求4所述的通信激光器半导体芯片的制作方法，其特征在于：在对背光腔面镀膜前，先对背光腔面进行等离子处理。

7.如权利要求6所述的通信激光器半导体芯片的制作方法，其特征在于，所述等离子处理具体为：真空度为1.5-3.0×10^-6Torr，Vecoo的Hall离子源通氩气，离子源阳极电压控制为100～150V，阳极电流控制为2～5A，处理时间为120～200s。

8.如权利要求1所述的通信激光器半导体芯片的制作方法，其特征在于：在所述S2步骤和所述S3步骤中，采用E-Beam蒸发镀膜。

9.如权利要求8所述的通信激光器半导体芯片的制作方法，其特征在于，E-Beam蒸发镀膜具体为：离子源能量为90V/3A～150V/4A，离子源气体Ar气，Si、SiO和SiO₂：H的镀率为3～5A/s。

10.一种通信激光器半导体芯片，其特征在于：由如权利要求1-9任一所述的通信激光器半导体芯片的制作方法制得。