[发明专利]制造半导体器件的方法和半导体器件在审
| 申请号： | 202110559473.5 | 申请日： | 2021-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN113363209A | 公开（公告）日： | 2021-09-07 |
| 发明（设计）人： | 林琨祐;葛育菱;陈怡臻;廖志腾;陈臆仁 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L27/088 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 制造 半导体器件 方法 | ||
1.一种制造半导体器件的方法，包括：
在设置在衬底上方的硬掩模层上方形成牺牲图案；
在所述牺牲图案的侧壁上形成侧壁图案；
去除所述牺牲图案，从而留下所述侧壁图案作为第一硬掩模图案；
通过使用所述第一硬掩模图案作为蚀刻掩模来图案化所述硬掩模层，从而形成所述第二硬掩模图案；以及
通过使用所述第二硬掩模图案作为蚀刻掩模来图案化所述衬底，从而形成鳍结构，
其中，每个所述第一牺牲图案具有锥形形状，所述锥形形状的顶部小于底部。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述牺牲图案由多晶硅制成。
3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述第一硬掩模图案由氮化硅制成。
4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述第一硬掩模图案相对于垂直于所述衬底的上表面的方向倾斜。
5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述第一硬掩模图案相对于从其去除相应的一个牺牲图案的间隔的倾斜角为1-7度。
6.根据权利要求4所述的方法，其中，所述第一硬掩模图案相对于没有形成牺牲图案的间隔的倾斜角为1-7度。
7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述牺牲图案的锥角在5度至15度的范围内。
8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述硬掩模层包括多个介电材料层。
9.一种制造半导体器件的方法，包括：
在衬底上方形成第一硬掩模层；
在所述第一硬掩模层上方形成牺牲层；
在所述牺牲层上方形成第二硬掩模层；
通过图案化所述第二硬掩模层来形成第一硬掩模图案；
通过使用所述第一硬掩模图案作为蚀刻掩模图案化所述牺牲层来形成牺牲图案，每个所述牺牲图案具有锥形形状；
在所述牺牲图案的侧壁上形成侧壁图案；
去除所述牺牲图案，从而将所述侧壁图案保留为第二硬掩模图案；
去除所述第二硬掩模图案的一部分；
在去除所述第二硬掩模图案的一部分之后，通过使用所述第二硬掩模图案的剩余部分作为蚀刻掩模来图案化所述硬掩模层，从而形成第三硬掩模图案；以及
通过使用所述第三硬掩模图案作为蚀刻掩模来图案化所述衬底，从而形成鳍结构。
10.一种半导体器件，包括：
第一鳍式场效应晶体管，包括第一对鳍结构和第一栅电极；
第二鳍式场效应晶体管，包括第二对鳍结构和第二栅电极，
其中，所述第一对鳍结构的宽度与所述第二对鳍结构的宽度的差为0.01-0.1nm。
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