[发明专利]显示装置在审
申请号: | 202110559654.8 | 申请日: | 2021-05-21 |
公开(公告)号: | CN113707691A | 公开(公告)日: | 2021-11-26 |
发明(设计)人: | 金根佑;郭惠娜;姜泰旭;辛知映;李在燮 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人: | 袁媛;康泉 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 | ||
显示装置包括:包括第一聚合物膜的基底基板;在基底基板上且包括第一沟道区的有源图案;以及与第一沟道区重叠的第一栅电极,其中第一聚合物膜在与第一沟道区重叠的第一区域中具有第一厚度,并且在不同于第一区域的第二区域中具有小于第一厚度的第二厚度。
技术领域
本公开的实施方式的方面涉及显示装置。
背景技术
聚合物基板可用于显示装置以减少显示装置的重量并改变显示装置的设计。聚合物基板可包括聚合物,比如聚酰亚胺等。
当显示装置包括聚合物基板时,偶极子极化可通过施加至驱动元件等的电信号引起,并且可导致显示质量的劣化,例如,余像。
本背景技术部分中公开的上述信息仅用于增强对背景技术的理解,并且因此本背景技术部分中讨论的信息不一定构成现有技术。
发明内容
本公开的实施方式的方面涉及显示装置。例如,实施方式的方面涉及可具有相对改善的显示质量的显示装置。
实施方式的方面涉及具有相对改善的显示质量的显示装置。
根据本公开的实施方式,显示装置包括:包括第一聚合物膜的基底基板,在基底基板上且包括第一沟道区的有源图案,和与第一沟道区重叠的第一栅电极。第一聚合物膜在与第一沟道区重叠的第一区域中具有第一厚度并且在不同于第一区域的第二区域中具有小于第一厚度的第二厚度。
根据实施方式,显示装置进一步包括与有源图案的第二沟道区重叠的第二栅电极。第二区域与第二沟道区重叠。
根据实施方式,显示装置进一步包括发光元件。由第一沟道区和第一栅电极限定的驱动晶体管向发光元件提供驱动电流。由第二沟道区和第二栅电极限定的开关晶体管的源端子或漏端子电连接至驱动晶体管的源端子或漏端子。
根据实施方式,发射控制信号施加至第二栅电极。
根据实施方式,发光元件包括有机发光二极管。
根据实施方式,第一厚度与第二厚度的比率为至少约1.2。
根据实施方式,第一厚度与第二厚度之间的差为约至约
根据实施方式,基底基板进一步包括:在第一聚合物膜下方的第二聚合物膜,以及在第一聚合物膜和第二聚合物膜之间且包括非晶硅的粘合增强层。
根据实施方式,显示装置进一步包括电容器电极图案,其中第一区域的边缘沿着电容器电极图案的边缘延伸。
根据实施方式,有源图案进一步包括与第二区域重叠的第二沟道区,其中第一沟道区的高度大于第二沟道区的高度。
根据本公开的实施方式,显示装置包括:基底基板,在基底基板上且包括第一沟道区的有源图案,和与第一沟道区重叠的第一栅电极。基底基板包括第一聚合物膜、第二聚合物膜以及在第一聚合物膜和第二聚合物膜之间且包括开孔的粘合增强层。第一沟道区与粘合增强层的开孔重叠。
根据实施方式,显示装置包括基底基板、场阻挡图案、在基底基板上的有源图案以及第一栅电极。基底基板包括第一聚合物膜和覆盖第一聚合物膜的上表面的上阻隔层。场阻挡图案部分地在第一聚合物膜和上阻隔层之间。有源图案在基底基板上,与场阻挡图案重叠并且包括与场阻挡图案间隔开等于或大于的距离的第一沟道区。第一栅电极与第一沟道区重叠。
根据实施方式,施加至晶体管的边缘场可能变形或堵塞,从而可防止或减少晶体管特性的变化。因此,包括晶体管的显示装置的可靠性可得到改善。
附图说明
本发明构思的一个或多个实施方式的方面将更清楚地从下述结合所附附图所作的详细描述中得到理解。
图1为根据实施方式的显示装置的像素单元的电路图。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星显示有限公司,未经三星显示有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110559654.8/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:半导体器件
- 下一篇:用于编码及解码私密数据的方法及图像处理装置
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的