[发明专利]一种金属掺杂的二硼化锆薄膜及其制备方法有效
| 申请号： | 202110560481.1 | 申请日： | 2021-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN113293353B | 公开（公告）日： | 2023-02-03 |
| 发明（设计）人： | 孟瑜;弥娟莉;刘明霞;张秀萍;徐可为 | 申请（专利权）人： | 西安文理学院 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/06 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 马贵香 |
| 地址： | 710065 陕西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 金属 掺杂 二硼化锆 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种金属掺杂的二硼化锆薄膜的制备方法，其特征在于，采用如下方法制备得到：以金属靶和ZrB2复合靶作为靶材，通过磁控溅射方法在硅基底上沉积金属元素掺杂的ZrB2薄膜；所述金属元素为比Zr和B更容易被氧化的金属；
具体方法为：所述金属靶为Al靶，所述金属元素为Al，利用磁控溅射设备在Si（100）基底上沉积Al掺杂的ZrB2薄膜，Al靶和ZrB2复合靶的纯度均为99.95%，Al靶采用射频溅射，ZrB2靶采用直流溅射；本底真空度为4.0×10-4 Pa，Ar气流量为80 ml/min，Al靶溅射功率为50 W，ZrB2靶溅射功率为80 W，基底偏压为150 V，工作气压为0.6 Pa，溅射时间为60 min；
所得Al掺杂的ZrB2薄膜厚度为120-500 nm；所得Al掺杂的ZrB2薄膜中Al的原子百分数为6.71，氧的原子百分数为5.59，Zr/B原子比为1.98；所得Al掺杂的ZrB2薄膜方块电阻介于8.286-4.31 Ω/□。
2.根据权利要求1所述的金属掺杂的二硼化锆薄膜的制备方法，其特征在于：磁控溅射前，对硅基底进行清洗预处理：将硅基底依次置于丙酮和乙醇中进行超声清洗，然后在HF溶液中浸泡去除硅基底表面的氧化层。
3.采用权利要求1-2任一项所述的制备方法得到的金属掺杂的二硼化锆薄膜。
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