[发明专利]量子点发光二极管外延片及其制备方法

权利要求书

1.一种量子点发光二极管外延片，其特征在于，所述量子点发光二极管外延片包括基底及依次层叠在所述基底上的阳极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层及阴极，

所述空穴注入层的材料包括聚3,4-乙烯二氧噻吩的摩尔质量与聚苯乙烯磺酸盐，所述空穴传输层的材料包括氧化钼。

2.根据权利要求1所述的量子点发光二极管外延片，其特征在于，所述聚3,4-乙烯二氧噻吩的摩尔质量与聚苯乙烯磺酸盐的摩尔质量之比为6:4～9:1。

3.根据权利要求1所述的量子点发光二极管外延片，其特征在于，所述空穴注入层的厚度与所述空穴传输层的厚度之比为1:3～3:2。

4.根据权利要求1～3任一项所述的量子点发光二极管外延片，其特征在于，所述空穴注入层的厚度为10～30nm，所述空穴传输层的厚度为20～30nm。

5.一种量子点发光二极管外延片的制备方法，其特征在于，所述量子点发光二极管外延片的制备方法包括：

提供一基底，所述基底的表面具有阳极；

在所述阳极上形成空穴注入层，所述空穴注入层的材料包括聚3,4-乙烯二氧噻吩的摩尔质量与聚苯乙烯磺酸盐；

在所述空穴注入层上形成空穴传输层，所述空穴传输层的材料包括氧化钼；

在所述空穴传输层上依次形成量子点发光层、电子传输层与阴极。

6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述在所述空穴注入层上形成空穴传输层，包括：

在所述空穴注入层上形成氧化钼膜；

使用臭氧对所述氧化钼膜进行处理；

重复以上步骤直至形成所述空穴传输层。

7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，在300～400℃的温度下使用臭氧对所述氧化钼膜进行处理。

8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，在300～400℃的温度下使用臭氧对所述氧化钼膜处理1～3min。

9.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述氧化钼膜的厚度为5～10nm。

10.根据权利要求5～9任一项所述的制备方法，其特征在于，所述阳极的材料包括氧化铟锡，在所述阳极上形成空穴注入层之前，所述制备方法还包括：

对所述阳极进行紫外光照射。