[发明专利]量子点发光二极管外延片及其制备方法

说明书

本公开提供了一种量子点发光二极管外延片及其制备方法，属于发光二极管技术领域。包括聚3,4‑乙烯二氧噻吩的摩尔质量与聚苯乙烯磺酸盐的空穴注入层实现空穴的有效注入，与基底与阳极之间也能够保证有效接触，透光性较好也保证量子点发光层的出光效率较好。在空穴注入层上的材料包括氧化钼的空穴传输层，与空穴注入层实现良好匹配与过渡，空穴传输层的质量较好，保证空穴的稳定传输。并且氧化钼材料有较高的功函数，促进空穴进入量子点发光层的迁移速率，在同一时间段内，进入量子点发光层的空穴的数量增加，量子点发光层内空穴与电子的数量较为平均，量子点发光层的发光效率会增加，有效提高量子点发光二极管的发光效率。

技术领域

本公开涉及到了发光二极管技术领域，特别涉及到一种量子点发光二极管外延片及其制备方法。

背景技术

量子点发光二极管也是发光二极管中的一类，量子点发光二极管具有激发光谱的半峰宽非常窄，并且激发波长可通过改变粒径来调节的优点，常用于制备荧光发光器件。量子点发光二极管外延片则是用于制备量子点发光二极管的基础结构，量子点发光二极管外延片包括基底与依次层叠在基底上的阳极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层与阴极。

但由于电子的迁移速度远大于空穴的迁移速度，导致进入量子点发光层的电子数量远大于空穴数量，量子点内电子与空穴的数量分布不均，空穴的数量会限制量子点发光层的出光效率，导致最终得到的量子点发光二极管的发光效率较低。

发明内容

本公开实施例提供了一种量子点发光二极管外延片及其制备方法，可以有效提高量子点发光二极管的发光效率。所述技术方案如下：

本公开实施例提供可一种量子点发光二极管外延片，所述量子点发光二极管外延片包括基底及依次层叠在所述基底上的阳极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层及阴极，

所述空穴注入层的材料包括聚3,4-乙烯二氧噻吩的摩尔质量与聚苯乙烯磺酸盐，所述空穴传输层的材料包括氧化钼。

可选地，所述聚3,4-乙烯二氧噻吩的摩尔质量与聚苯乙烯磺酸盐的摩尔质量之比为6:4～9:1。

可选地，所述空穴注入层的厚度与所述空穴传输层的厚度之比为1:3～3:2。

可选地，所述空穴注入层的厚度为10～30nm，所述空穴传输层的厚度为20～30nm。

本公开实施例提供了一种量子点发光二极管外延片的制备方法，所述量子点发光二极管外延片的制备方法包括：

提供一基底，所述基底的表面具有阳极；

在所述阳极上形成空穴注入层，所述空穴注入层的材料包括聚3,4-乙烯二氧噻吩的摩尔质量与聚苯乙烯磺酸盐；

在所述空穴注入层上形成空穴传输层，所述空穴传输层的材料包括氧化钼；

在所述空穴传输层上依次形成量子点发光层、电子传输层与阴极。

可选地，所述在所述空穴注入层上形成空穴传输层，包括：

在所述空穴注入层上形成氧化钼膜；

使用臭氧对所述氧化钼膜进行处理；

重复以上步骤直至形成所述空穴传输层。

可选地，在300～400℃的温度下使用臭氧对所述氧化钼膜进行处理。

可选地，在300～400℃的温度下使用臭氧对所述氧化钼膜处理1～3min。

可选地，所述氧化钼膜的厚度为5～10nm。

可选地，所述阳极的材料包括氧化铟锡，在所述阳极上形成空穴注入层之前，所述制备方法还包括：

对所述阳极进行紫外光照射。