[发明专利]阵列基板及其制备方法

权利要求书

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：

设于基层上的第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管；

第一遮光层，设于所述第一薄膜晶体管下方，并与所述第一薄膜晶体管中的第一有源层相对设置；

第二遮光层，设于所述第二薄膜晶体管下方，并与所述第二薄膜晶体管的第二有源层相对设置，第二遮光层的底面连接至所述第一遮光层；

第一屏蔽层，设于所述第一薄膜晶体管远离所述第二薄膜晶体管的一侧；所述第一屏蔽层的一端与所述第一薄膜晶体管的第一源漏极电连接，其另一端与所述第一遮光层电连接；

第二屏蔽层，设于所述第二薄膜晶体管远离所述第一薄膜晶体管的一侧；所述第二屏蔽层的一端与所述第二薄膜晶体管的第二源漏极电连接，其另一端与所述第二遮光层电连接；以及

第三屏蔽层，设于所述第一薄膜晶体管与所述第二薄膜晶体管之间，所述第三屏蔽层的一端与所述第二遮光层电连接，其另一端与所述第一薄膜晶体管的第一源极和所述第二薄膜晶体管的第二漏极电连接。

2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，

所述第一有源层和所述第二有源层位于所述第一屏蔽层与所述第二屏蔽层之间。

3.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，还包括：

缓冲层，设于所述基层与所述第一薄膜晶体管之间；或者，设于所述基层与所述第二薄膜晶体管之间。

4.如权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述第一薄膜晶体管包括：

第一绝缘层，设于所述缓冲层上；所述第一有源层设于所述第一绝缘层与所述缓冲层之间，或设于所述第一绝缘层中；

第一栅极，设于所述第一绝缘层远离所述缓冲层的一表面上，并与所述第一有源层相对设置；

第一介电层，设于所述第一绝缘层上，并覆盖所述第一栅极；以及

第一源漏极，设于所述第一介电层远离所述第一栅极的一表面上方；

所述第一源漏极包括：

第一漏极，其底面具有一第一突出部，所述第一突出部穿过所述第一介电层和所述第一绝缘层与所述第一有源层电连接；以及

所述第一源极，其底面具有一第二突出部，所述第二突出部穿过所述第一介电层和所述第一绝缘层与所述第一有源层电连接。

5.如权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，当所述第一有源层设于所述第一绝缘层中时，所述缓冲层中具有一第一凹槽，所述第一凹槽的槽口朝向所述第一有源层；

所述第一遮光层设于所述第一凹槽的底面上；

所述第一绝缘层设于所述缓冲层上，并填充所述第一凹槽。

6.如权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述第二薄膜晶体管包括：

第二介电层，设于所述第一介电层与所述第一源漏极之间；

所述第二有源层设于所述第一介电层与所述第二介电层之间，或设于所述第二介电层中；

第二绝缘层，设于所述第二有源层远离所述第一介电层的一表面上；

第二栅极，设于所述第二绝缘层远离所述第二有源层的一表面上；以及

第二源漏极，设于所述第二介电层远离所述第二栅极的一表面上；

所以第二源漏极包括：

所述第二漏极，其底面具有一第三突出部，所述第三突出部穿过所述第二介电层与所述第二有源层电连接；所述第二漏极靠近所述第一薄膜晶体管的一端与所述第一源极电连接；以及

第二源极，其底面具有一第四突出部，所述第四突出部穿过所述第二介电层与所述第二有源层电连接。

7.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，当所述第二有源层设于所述第二介电层中时，所述第一介电层中具有一第二凹槽，所述第二凹槽的槽口朝向所述第二有源层；

所述第二遮光层设于所述第二凹槽的底面上；

所述第二介电层设于所述第一介电层上，并填充所述第二凹槽。

8.如权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，

所述第三屏蔽层，位于所述第二突出部和所述第三突出部之间；

所述第三屏蔽层的一端穿过所述第二介电层与所述第一源极和所述第二漏极电连接。