[发明专利]阵列基板及其制备方法

说明书

本发明提供了一种阵列基板及其制备方法，所述阵列基板通过第一遮光层、第二遮光层、第一屏蔽层以及第二屏蔽层形成包围第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管的双U型导体结构，将薄膜晶体管下方膜层和两侧膜层中的移动电荷完美屏蔽在双U型导体结构外，从而保持器件优异电学特性。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别是一种阵列基板及其制备方法。

背景技术

在现有的有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)显示器件中，为了实现低功耗，一种主流技术是在驱动薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)和开关薄膜晶体管中采用低温多晶硅(Low Temperature Poly-silicon，LTPS)作为有源层。但是LTPS的载流子迁移率较大，存在漏电流较高的问题。在此基础上，产生了低温多晶氧化物(Low Temperature Polycrystalline-Si Oxide，LTPO)技术。LTPO结合了LTPS和金属氧化物两者的优点，形成了一种响应速度快，功耗低的解决方案。

但是，目前主流柔性显示屏幕中的TFT器件，其下方的有机膜层、无机膜层均会存在一定的移动电荷等，该移动电荷受TFT器件电流等驱动的作用，会反向影响器件的正常工作，从而会使TFT器件电学性能恶化，且对复原残像等光学评价项目造成不良影响。

发明内容

本发明的目的是提供一种阵列基板及其制备方法，以解决现有技术中有机膜层、无机膜层中的移动电荷影响薄膜晶体管器件的正常工作，从而会使器件电学性能恶化等技术问题。

为实现上述目的，本发明提供一种阵列基板，所述阵列基板包括基层、第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第一遮光层、第二遮光层、第一屏蔽层以及第二屏蔽层。

所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管设于所述基层上方。所述第一遮光层设于所述第一薄膜晶体管下方，并与所述第一薄膜晶体管中的第一有源层相对设置。所述第二遮光层设于所述第二薄膜晶体管下方，并与所述第二薄膜晶体管的第二有源层相对设置，第二遮光层的底面连接至所述第一遮光层。所述第一屏蔽层设于所述第一薄膜晶体管远离所述第二薄膜晶体管的一侧。所述第一屏蔽层的一端与所述第一薄膜晶体管的第一源漏极电连接，其另一端与所述第一遮光层电连接。所述第二屏蔽层设于所述第二薄膜晶体管远离所述第一薄膜晶体管的一侧。所述第二屏蔽层的一端与所述第二薄膜晶体管的第二源漏极电连接，其另一端与所述第二遮光层电连接。

进一步地，所述第一有源层和所述第二有源层位于所述第一屏蔽层与所述第二屏蔽层之间。

进一步地，所述阵列基板还包括缓冲层，所述缓冲层设于所述基层与所述第一薄膜晶体管之间，或者设于所述基层与所述第二薄膜晶体管之间。

进一步地，所述第一薄膜晶体管包括第一有源层、第一绝缘层、第一栅极、第一介电层以及第一源漏极。

所述第一绝缘层设于所述缓冲层上。所述第一有源层设于所述第一绝缘层与所述缓冲层之间，或设于所述第一绝缘层中。所述第一栅极设于所述第一绝缘层远离所述缓冲层的一表面上，并与所述第一有源层相对设置。所述第一介电层设于所述第一绝缘层上，并覆盖所述第一栅极。所述第一源漏极设于所述第一介电层远离所述第一栅极的一表面上方。

所述第一源漏极包括第一漏极和第一源极。所述第一漏极的底面具有一第一突出部，所述第一突出部穿过所述第一介电层和所述第一绝缘层与所述第一有源层电连接。所述第一源极的底面具有一第二突出部，所述第二突出部穿过所述第一介电层和所述第一绝缘层与所述第一有源层电连接。

进一步地，当所述第一有源层设于所述第一绝缘层中时，所述缓冲层中具有一第一凹槽，所述第一凹槽的槽口朝向所述第一有源层。所述第一遮光层设于所述第一凹槽的底面上。所述第一绝缘层设于所述缓冲层上，并填充所述第一凹槽。