[发明专利]半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，在半导体晶片的第一主表面侧通过镀覆处理而形成镀层，所述半导体装置的制造方法包含：

第一工序，在所述半导体晶片的第一主表面形成第一电极；

第二工序，在所述半导体晶片的第二主表面粘贴第一带，利用所述第一带覆盖所述半导体晶片的第二主表面；

第三工序，在所述半导体晶片的外周部粘贴第二带，利用所述第二带覆盖所述半导体晶片的端部；

第四工序，通过40℃以上的温度的热处理对处于粘贴有所述第一带和所述第二带的状态下的所述半导体晶片进行加热；以及

第五工序，在所述第四工序之后，通过所述镀覆处理在所述第一电极的表面上形成所述镀层。

2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

在所述第四工序中，在80℃以下的温度进行所述热处理。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

在所述第四工序中，将所述热处理的时间设为20分钟至40分钟。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

在所述第五工序之后，还包括从所述半导体晶片剥离所述第二带的第六工序，

所述第二带具有受到紫外线照射后硬化而使粘接力变小的粘接剂层，

在所述第三工序中，通过从所述半导体晶片的第一主表面跨到第二主表面而在所述半导体晶片的表面粘接所述粘接剂层而粘贴所述第二带，从而利用所述第二带来覆盖所述半导体晶片的端部，

在所述第六工序中，在通过所述紫外线照射使所述第二带的所述粘接剂层硬化后，剥离所述第二带。

5.根据权利要求4所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

在所述第三工序中，以使所述第二带在所述半导体晶片的第二主表面的外周部重叠在所述第一带之上的方式，从所述半导体晶片的第一主表面跨到第二主表面地粘贴所述第二带，

在所述第六工序中，在通过来自所述半导体晶片的第一主表面侧的所述紫外线照射使所述第二带的粘贴在所述半导体晶片的第一主表面的所述粘接剂层硬化后，剥离所述第二带。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

在所述第三工序中，在所述半导体晶片的外周粘贴至少一周所述第二带。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

在所述第四工序中，将所述半导体晶片投入加热炉，直接加热所述第一带和所述第二带。

8.根据权利要求1至6中任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

在所述第四工序中，将所述半导体晶片放置于被加热装置加热的台面，从而加热所述第一带和所述第二带。

9.根据权利要求7或8所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

在所述第四工序中，将加热所述半导体晶片时的气氛设为氮气气氛。

10.根据权利要求1至9中任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

在所述第一工序中，在所述半导体晶片的第一主表面形成所述第一电极，并且在所述半导体晶片的第二主表面形成第二电极，

在所述第二工序中，在所述半导体晶片的第二主表面粘贴所述第一带，利用所述第一带覆盖所述第二电极。

11.根据权利要求1至10中任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

使用中央部的厚度薄而预定宽度的外周部保留得比中央部的厚度厚的半导体晶片作为所述半导体晶片。