[发明专利]半导体装置的制造方法

说明书

本发明提供能够提高生产率的半导体装置的制造方法。在半导体晶片的背面粘贴第一带(背面带)，利用第二带覆盖半导体晶片的背面电极。在半导体晶片的外周部粘贴第二带(外周带)，利用第二带覆盖半导体晶片的端部。第一带和第二带是UV带。在40℃以上的温度对处于粘贴有第一带和第二带的状态的半导体晶片进行加热，半导体晶片与第一带和第二带之间的粘接力变大。在粘贴有第一带和第二带的状态下对半导体晶片进行镀覆处理，在半导体晶片的正面电极上形成镀层。依次剥离第二带、第一带。因为通过UV照射使粘接剂层硬化后剥离第一带和第二带，所以粘接剂层不会残留在半导体晶片表面。

技术领域

该发明涉及半导体装置的制造方法。

技术背景

以往，已知在两个主表面具有表面电极(电极焊盘)的纵向型半导体装置中，在正面电极和背面电极焊接各不同的外部连接用端子(例如端子销和/或铜箔板)的布线构造。由于焊接正面电极与外部连接用端子，所以与通过引线键合来连接正面电极和外部连接用端子的情况相比，能够实现模块封装的高密度安装化、电流密度的提高、用于开关速度的高速化的布线容量降低、半导体元件的冷却效率的提高等。

正面电极通常利用含有高导电性的铝(Al)的金属形成。因为铝的焊料润湿性差，所以在正面电极的表面形成焊料润湿性好的金属层(例如镍(Ni)层)，提高正面电极的表面的焊料润湿性，从而正面电极与焊料层的界面的接合可靠性提高。作为在正面电极的表面形成焊料润湿性好的金属层的方法，公知通过电镀法和/或无电镀法来进行镀覆处理。

作为在半导体晶片的预定部位进行镀覆处理的方法，提出了在不形成半导体晶片的镀层的部位粘贴带的状态下进行镀覆处理的方法(例如，参照下述专利文献1至4)。在下述专利文献1至4中，由于利用带覆盖不形成半导体晶片的镀层的部位(背面电极和/或晶片外周部)来进行保护，所以防止向不形成镀层的部位析出镀层(以下，称为异常析出)、因异常析出而剥离的镀层所导致的镀覆液污染和/或镀覆液组成的经时变化等。

另外，在下述专利文献1和专利文献2中，在使用中央部的厚度薄而外周部以预定宽度保留有厚度的肋拱(rib arch)形状的半导体晶片的情况下，以使第一带与因半导体晶片的中央部与外周部之间的厚度差而在半导体晶片的背面产生的台阶的倾斜面、以及半导体晶片的背面的比台阶更靠外侧的平坦部紧贴的方式，将第一带粘贴在半导体晶片的整个背面。公开了以使第二带在半导体晶片的外周部的背面侧的平坦部重叠在第一带上的方式将第二带粘贴在半导体晶片的外周部。

另外，在下述专利文献1、2、4中公开了使用具有通过紫外线(UV：Ultraviolet)照射而硬化从而粘接力小的粘接剂层的UV带作为粘贴在半导体晶片的带。另外，在下述专利文献4中，在向半导体晶片的背面粘贴带时，将进行了薄化工序的半导体晶片维持在以40℃以上且60℃以下加热而向正面侧凸起地翘曲的状态下，并且对该向正面侧凸起地翘曲的状态下的半导体晶片进行镀覆处理，从而使带剥离后的半导体晶片的翘曲减低。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2014-086667号公报

专利文献2：日本特开2016-152317号公报

专利文献3：日本特开2016-058677号公报

专利文献4：日本特开2011-222898号公报

发明内容

技术问题

然而，发明者们通过勤奋研究发现，在上述以往的镀覆处理方法中，即使在利用带覆盖不形成半导体晶片的镀层的部位(半导体晶片的背面和外周部)的状态下进行镀覆处理，也会发生如下三个问题。第一个问题是，在半导体晶片的背面与带之间侵入镀覆液，在半导体晶片的外周部中的背面电极生成因镀覆液的“污渍”而导致的外观不良。发明者们就这一个问题产生的原因，使用肋拱形状的半导体晶片进行了验证。