[发明专利]一种镀膜设备

说明书

本发明涉及一种镀膜设备，其不同之处在于：其包括样品固定架和分别在真空状态的进样室、传样室、第一镀膜室、及第二镀膜室，进样室、第一镀膜室、及第二镀膜室分别与传样室通过传样狭缝阀门连通或隔断；样品固定架内设置若干个巴条且漏出各巴条两侧的解理面；进样室内设置有输送装置，输送装置能将若干个样品固定架依次送入进样室内或送出设备外；传样室内设置有传样机构，传样机构能将输送装置上的各样品固定架依次转移到第一镀膜室内和第二镀膜室内后再送回输送装置上；第一镀膜室用于清洗各巴条两侧的解理面并镀制钝化膜；第二镀膜室用于在各巴条一侧钝化膜上镀制减反膜、另一侧钝化膜上镀制高反膜。本发明避免灾变性光学镜面损伤。

技术领域

本发明涉及芯片镀膜领域，尤其是一种镀膜设备。

背景技术

半导体激光器又称激光二极管，是光通信、光传感、光泵浦等领域的核心器件。其工作原理是通过一定的激励方式，靠电子在能带间跃迁发光，利用半导体晶体的解理面101a形成两个平行反射镜面组成谐振腔101e，使光振荡、反馈，产生光的辐射放大，输出激光。

请参考图1至图3，在生产半导体激光器芯片1011时，步骤一，将半导体晶圆片1解理成若干个条状的巴条101；步骤二，将解理好的巴条101整齐堆叠，然后对各个巴条101两侧的解理面101a分别进行镀膜，其中一侧的解理面101a镀制减反膜101b、另一侧的解理面101a镀制高反膜101c；步骤三，将巴条101划分为若干个分立芯片1011。其中，步骤二中的巴条101的减反膜101b和高反膜101c作为谐振腔101e的两个腔面。

而步骤二解理并堆叠巴条101的过程中，在完全真空条件或高纯气体条件下操作的成本远高于在空气中操作的成本，但空气中操作，必然会引起巴条101的谐振腔101e腔面的氧化和杂质污染，如果存在该问题，则步骤三获得的芯片1011在高光功率密度作用下就会引起腔面温度迅速升高，而温度的提升又使得界面状态进一步恶化，又增强了光吸收，最后促使腔面烧毁，激光器失效，这种灾变性光学镜面损伤一直是限制半导体激光器可靠性的重要因素，尤其对大功率半导体激光器，灾变性光学镜面损伤的影响更为突出。故亟需一种设备对步骤二的工艺进行改进。

发明内容

本发明的目的在于克服现有技术的缺点，提供一种镀膜设备，在对巴条镀制减反膜和高反膜前，去除解理面上的氧化层和污染层并对解理面进行镀制钝化膜，避免灾变性光学镜面损伤。

为解决以上技术问题，本发明的技术方案为：一种镀膜设备，其不同之处在于：其包括样品固定架和分别在真空状态的进样室、传样室、第一镀膜室、及第二镀膜室，所述进样室、第一镀膜室、及第二镀膜室分别与所述传样室通过传样狭缝阀门连通或隔断；所述样品固定架内设置若干个巴条且漏出各所述巴条两侧的解理面；所述进样室内设置有输送装置，所述输送装置能将若干个所述样品固定架依次送入所述进样室内或送出设备外；所述传样室内设置有传样机构，所述传样机构能将所述输送装置上的各所述样品固定架依次转移到所述第一镀膜室内和第二镀膜室内后再送回输送装置上；所述第一镀膜室用于清洗各所述巴条两侧的解理面并镀制钝化膜；所述第二镀膜室用于在各所述巴条一侧钝化膜上镀制减反膜、另一侧钝化膜上镀制高反膜。

按以上技术方案，所述传样狭缝阀门有三个，分别为设置在所述传样室与所述进样室之间的第二狭缝阀门，设置在所述传样室与所述第一镀膜室之间的第三狭缝阀门，及设置在所述传样室与所述第二镀膜室之间的第四狭缝阀门。

按以上技术方案，所述进样室内靠上的位置设置有第一高真空泵，所述进样室内靠下的位置设置有第二高真空泵，所述传样室内设置有第三高真空泵，所述第一镀膜室内设置有第四高真空泵，所述第二镀膜室内设置有第五高真空泵。

按以上技术方案，所述进样室的上侧设置有连通内外的第一狭缝阀门，所述输送装置可带动所述样品固定架向下移动将所述样品固定架向下送入所述进样室内，所述输送装置也可带动所述样品固定架向上移动将所述样品固定架向上送出所述进样室外。