[发明专利]一种分立式π/2相位差离子回旋共振加热天线有效
申请号: | 202110563961.3 | 申请日: | 2021-05-24 |
公开(公告)号: | CN113285223B | 公开(公告)日: | 2023-10-10 |
发明(设计)人: | 苌磊;杨鑫;袁小刚;周海山;罗广南 | 申请(专利权)人: | 中国科学院合肥物质科学研究院 |
主分类号: | H01Q1/50 | 分类号: | H01Q1/50;H01Q3/26;H01Q1/48 |
代理公司: | 北京科迪生专利代理有限责任公司 11251 | 代理人: | 李晓莉 |
地址: | 230031 安徽省*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 立式 相位差 离子回旋共振加热 天线 | ||
本发明公开了一种分立式π/2相位差离子回旋共振加热天线,包括有RF源(1),π/2调相器(2),加热天线a(3),加热天线b(4)和绝缘管(5)。本发明中等离子体贯穿进入分立式离子回旋天线时,被天线激发的电磁场有效加热,同时在两端天线之间的π/2相位差下不断加速。该离子回旋加热天线可使电磁波与等离子体高效耦合,且等离子体不直接接触电极,具有较高的服役寿命。同时分立式天线间距可以随工作频率或放电工作气体的特征频率进行更改,具有良好的通用性。
技术领域
本发明涉及应用于等离子体加热天线的结构设计,主要涉及一种分立式π/2相位差离子回旋共振加热天线。
背景技术
等离子体作为物质的第四态,同时也是聚变能和工业发展的主要技术之一,近些年备受世界各国科研院校和企业的关注。等离子体主要通过直流、射频、微波和激光等手段通过电离放电气体获得。对于磁约束等离子体而言,在等离子体的激发和加热过程中,能量通常需要通过不同结构的天线进行馈入。天线的结构和配置直接影响获得等离子体的电子温度、密度等关键参数,同时也会对能量的耦合效率造成影响。天线结构选型和设计不合理会造成等离子体设备的电离效率过低,甚至决定等离子体的激发是否成功。在特殊情况下天线会造成能量反射过大,造成设备的损坏和威胁操作人员的人身安全。对于加热天线而言,天线主要作用是将能量通过电磁波的形式进行扩散,利用天线本身的结构特点产生一个有利于等离子体加热的空间电场。天线的结构选型严重影响等离子体的加热效率。目前等离子体加热领域应用的天线有两类,一类是在托卡马克装置中结构为平面式天线,即天线的单面面向等离子体,天线承受着等离子体的热轰击;另一类应用在直线等离子体装置中,采用贯穿式单天线,即等离子体在环状天线中间激发,天线一端接入射频,另一端接地。
根据以上研究背景,本发明提出一种分立式π/2相位差离子回旋共振加热天线。该系统采用两段分立式天线,两段天线保持20-200mm的间隔。两段天线采用一套电源,两路输出结构,天线两路输出有π/2相位差。该天线设计可有效提高等离子体耦合效率,等离子体被两段分立式天线产生的电磁波激发,且由于两天线电源激励相位差的存在使得等离子体获得轴向加速,有利于提高等离子体的加热效率。同时该天线与等离子体之间由绝缘材料进行隔离,等离子体不和天线直接接触,有利于提高天线的服役寿命。
发明内容
本发明目的就是为了弥补已有技术的缺陷,提供一种分立式π/2相位差离子回旋共振加热天线。
本发明是通过以下技术方案实现的:
本发明中等离子体分立式天线采用无氧铜或紫铜材质的细长管制作,也可使用其他导热性和延展性较好的材料代替。两段细长管的尺寸保持一致,直径范围为5-10mm,壁厚范围1-2mm。管道设计便于天线冷却和弯曲加工,单段天线的形状可以是封闭式、半封闭式或其他异形结构,天线的绕制半径可根据设计的等离子体直径确定,单个加热天线引出两个接线端。两段分立式天线同轴安装,且两组天线的接线端交错安装,避免因太近引起的击穿打火现象。两组分立式天线组成的离子回旋加热天线中,两组接线端分别接两路射频馈入和接地。两路射频输入从一套激励源发出,且通过调相处理使得两个射频输入相位差为π/2。
本发明提供了一种分立式π/2相位差离子回旋共振加热天线,包括RF源1,π/2调相器2,加热天线a3,加热天线b4和绝缘管5。加热天线a3和加热天线b4共同套在绝缘管5上,两组加热天线都是一端接地,另一端与两路射频输入连接。两路射频信号来源同一个信号源,经调相器2将一路射频信号分成两路进行输出。
所述的一种分立式π/2相位差离子回旋共振加热天线,离子回旋加热天线为两段分立式结构。该结构使得等离子体中离子加热效率较高。
所述的一种分立式π/2相位差离子回旋共振加热天线,离子回旋加热天线采用两路射频输入,且输入两路激励有π/2的相位差。相位差的存在使得分立式天线之间的电场对离子轴向加速的效应。
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