[发明专利]电子设备壳体及其制作方法和电子设备在审
申请号: | 202110566615.0 | 申请日: | 2021-05-24 |
公开(公告)号: | CN113316333A | 公开(公告)日: | 2021-08-27 |
发明(设计)人: | 刘洋;黄志勇;侯体波;陈智顺 | 申请(专利权)人: | OPPO广东移动通信有限公司 |
主分类号: | H05K5/00 | 分类号: | H05K5/00;H05K5/02;C23C28/04;C25D11/04;C23C14/06;C23C14/34 |
代理公司: | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人: | 唐双 |
地址: | 523860 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电子设备 壳体 及其 制作方法 | ||
1.一种电子设备壳体,其特征在于,包括:
铝合金基板;
阳极氧化膜,所述阳极氧化膜形成于所述铝合金基板表面,所述阳极氧化膜表面具有微孔结构;以及
PVD功能层,所述PVD功能层设置于所述阳极氧化膜背离所述铝合金基板的表面且部分所述PVD功能层内嵌于所述微孔结构中。
2.根据权利要求1所述的电子设备壳体,其特征在于,所述PVD功能层包括依次层叠设置的打底层、共镀层和颜色层,其中打底层与所述阳极氧化膜贴合且部分打底层内嵌于所述微孔结构中。
3.根据权利要求2所述的电子设备壳体,其特征在于,所述打底层包括铬单质,所述打底层的厚度在0.1-1.0um之间。
4.根据权利要求2所述的电子设备壳体,其特征在于,所述共镀层包括碳化硅、碳化铬、碳氮化硅、碳氮化铬和氮化铬中的一种或几种,所述共镀层的厚度在0.3-2.0um之间。
5.根据权利要求2所述的电子设备壳体,其特征在于,所述颜色层包括碳化硅、碳化铬、碳氮化硅、碳氮化铬和氮化铬中的一种或几种,所述颜色层的厚度在0.1-1.0um之间。
6.一种电子设备壳体的制作方法,其特征在于,所述方法包括以下步骤:
对铝合金基板的表面做镜面抛光处理;
将所述铝合金基板的表面做阳极氧化处理,形成阳极氧化膜;
在所述阳极氧化膜的表面镀PVD功能层;
其中,其中所述阳极氧化膜表面呈微孔结构,部分所述PVD功能层内嵌于所述微孔结构中。
7.根据权利要求6所述的方法,其特征在于,所述在所述阳极氧化膜的表面镀PVD功能层包括以下步骤:
在所述阳极氧化膜背离所述铝合金基板的表面镀打底层;
在所述打底层背离所述阳极氧化膜的表面镀共镀层;
在所述共镀层背离所述打底层的表面镀颜色层;
其中所述所述打底层的厚度在0.1-1.0um之间,所述共镀层的厚度在0.3-2.0um之间,所述颜色层的厚度在0.3-1.0um之间。
8.根据权利要求7所述的方法,其特征在于,所述在所述打底层背离所述阳极氧化膜的表面镀共镀层包括:
将乙炔和/或氮气通入铬和/或硅中,形成碳化硅、碳化铬、碳氮化硅、碳氮化铬和氮化铬一种或几种;
其中,通过控制所述乙炔和/或氮气的量控制所述共镀层中铬元素、氮元素、钛元素与氮元素的比例。
9.根据权利要求7所述的方法,其特征在于,所述在所述共镀层背离所述打底层的表面镀颜色层包括:
将乙炔和/或氮气通入铬和/或硅中,形成碳化硅、碳化铬、碳氮化硅、碳氮化铬和氮化铬中的一种或几种。
10.一种电子设备,其特征在于,包括:
根据权利要求1-5任一项所述的电子设备壳体;以及
显示屏组件,收容并固定连接于所述电子设备壳体中。
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