[发明专利]FinFET氧化栅制备方法和氧化栅结构在审
| 申请号： | 202110568338.7 | 申请日： | 2021-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN113571417A | 公开（公告）日： | 2021-10-29 |
| 发明（设计）人： | 姚周 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/423 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 焦天雷 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | finfet 氧化 制备 方法 结构 | ||
1.一种FinFET氧化栅制备方法，其特征在于，包括以下步骤:
S1, 按现有制程形成FinFET氧化栅形貌，IO区域氧化栅预清洁；
S2，形成第一厚度a的第一氧化层；
S3，形成第二厚度b的第二氧化层；
S4，形成第三厚度c的氮化层；
S5，形成第五厚度e的第三氧化层同时消耗部分所述氮化层使其厚度变为第四厚度d；
S6，预填充假栅极非晶硅。
2.如权利要求1所述的FinFET氧化栅制备方法，其特征在于:c=（d+e）。
3.如权利要求1所述的FinFET氧化栅制备方法，其特征在于:所述第一氧化层是ISSG氧化层。
4.如权利要求1所述的FinFET氧化栅制备方法，其特征在于:所述第二氧化层是ALD氧化层。
5.如权利要求1所述的FinFET氧化栅制备方法，其特征在于: 所述氮化层是ALD氮化硅层。
6.如权利要求1所述的FinFET氧化栅制备方法，其特征在于: 所述第三氧化层是ISSG氧化层。
7.如权利要求1所述的FinFET氧化栅制备方法，其特征在于: 所述第一厚度a为15埃，所述第二厚度b为15埃，所述第三厚度c为15埃，所述第四厚度d为10埃，所述第五厚度e为5埃。
8.一种利用权利要求1-7任意一项所述FinFET氧化栅制备方法制作的FinFET氧化栅结构，其特征在于:
预填充假栅极非晶硅下自内向外依次形成有第一厚度a的第一氧化层、第二厚度b的第二氧化层、第四厚度d的氮化层和第五厚度e的第三氧化层。
9.如权利要求8所述的FinFET氧化栅结构，其特征在于:c=（d+e）。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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