[发明专利]一种晶振片防跳频镀膜工艺在审
| 申请号： | 202110569129.4 | 申请日： | 2021-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN113278922A | 公开（公告）日： | 2021-08-20 |
| 发明（设计）人： | 殷海明 | 申请（专利权）人： | 东莞市长益光电有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/10 | 分类号： | C23C14/10;C23C14/02 |
| 代理公司： | 东莞市冠诚知识产权代理有限公司 44272 | 代理人： | 张作林 |
| 地址： | 523000 广东省东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 晶振片防跳频 镀膜 工艺 | ||
1.一种晶振片防跳频镀膜工艺，晶振片放置于镀膜机的操作箱内进行加工，镀膜机设置有二氧化硅蒸发源，其镀膜的具体步骤为：
步骤S1、启动镀膜机，镀膜机往操作箱内通入氩气形成无氧环境；
步骤S2、真空镀膜机在晶振片的表面镀上第一层二氧化硅，第一层二氧化硅的厚度为4～5nm；
步骤S3、完成第一层二氧化硅镀膜后，晶振片间隔冷却后，再在第一层二氧化硅的表面镀上第二层二氧化硅，第二层二氧化硅的厚度为20～30nm；
步骤S4、完成镀膜，停止镀膜机，取出晶振片。
2.根据权利要求1所述的一种晶振片防跳频镀膜工艺，其特征在于，步骤S1中，操作箱内氩气的通入速度为17～20ccm。
3.根据权利要求1所述的一种晶振片防跳频镀膜工艺，其特征在于，步骤S2和步骤S3中，第一层二氧化硅和第二层二氧化硅的镀膜速度为0.3～0.5nm/s。
4.根据权利要求3所述的一种晶振片防跳频镀膜工艺，其特征在于，步骤S2和步骤S3中，第一层二氧化硅和第二层二氧化硅的镀膜速度为0.4nm/s。
5.根据权利要求1所述的一种晶振片防跳频镀膜工艺，其特征在于，步骤S1中，启动镀膜机后需要设置镀膜机的运行参数，运行参数包括阳极电压和阴极电流，镀膜机的阳极电压调节至200V，镀膜机的阴极电流调节至4A。
6.根据权利要求1所述的一种晶振片防跳频镀膜工艺，其特征在于，步骤S3中，晶振片间隔冷却的时间为1～3min。
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