[发明专利]一种晶振片防跳频镀膜工艺

说明书

本发明公开了一种晶振片防跳频镀膜工艺，晶振片放置于镀膜机的操作箱内进行加工，镀膜机设置有二氧化硅蒸发源，其镀膜的具体步骤为：步骤S1、启动镀膜机，镀膜机往操作箱内通入氩气形成无氧环境；步骤S2、真空镀膜机在晶振片的表面镀上第一层二氧化硅，第一层二氧化硅的厚度为4～5nm；步骤S3、完成第一层二氧化硅镀膜后，晶振片间隔冷却后，再在第一层二氧化硅的表面镀上第二层二氧化硅，第二层二氧化硅的厚度为20～30nm；步骤S4、完成镀膜，停止镀膜机，取出晶振片。本发明的有益效果是：本镀膜工艺采用相同的材料进行了二次镀膜，起到隔绝空气和保护晶振片的效果，镀膜后晶振片的频率在5.99MHz～5.995MHz，跳频情况明显改善。

技术领域

本发明涉及镀膜技术领域，特别是一种晶振片防跳频镀膜工艺。

背景技术

晶振片在生产时需要进行镀膜处理，一般会在晶振片上镀上两种不同的金属形成合金保护层。然而，晶振片受到离子束溅射（IBS）轰击时，晶振片内的水汽或附着不牢固的基底会脱落，导致晶振片出现数据跳频过大的现象，未镀膜时晶振片的频率为6MHz，镀膜后晶振片的频率下降至低于5.98MHz，跳频严重。为此，需要对晶振片的镀膜工艺进行改良。

发明内容

本发明要解决的技术问题是针对上述现有技术的不足，提供了一种晶振片防跳频镀膜工艺。

为解决上述技术问题，本发明所采取的技术方案是：一种晶振片防跳频镀膜工艺，晶振片放置于镀膜机的操作箱内进行加工，镀膜机设置有二氧化硅蒸发源，其镀膜的具体步骤为：

步骤S1、启动镀膜机，镀膜机往操作箱内通入氩气形成无氧环境；

步骤S2、真空镀膜机在晶振片的表面镀上第一层二氧化硅，第一层二氧化硅的厚度为4～5nm；

步骤S3、完成第一层二氧化硅镀膜后，晶振片间隔冷却后，再在第一层二氧化硅的表面镀上第二层二氧化硅，第二层二氧化硅的厚度为20～30nm；

步骤S4、完成镀膜，停止镀膜机，取出晶振片。

上述镀膜工艺的步骤S1中，操作箱内氩气的通入速度为17～20ccm。

上述镀膜工艺的步骤S2和步骤S3中，第一层二氧化硅和第二层二氧化硅的镀膜速度为0.3～0.5nm/s。

优选地，步骤S2和步骤S3中，第一层二氧化硅和第二层二氧化硅的镀膜速度为0.4nm/s。

上述镀膜工艺的步骤S1中，启动镀膜机后需要设置镀膜机的运行参数，运行参数包括阳极电压和阴极电流，镀膜机的阳极电压调节至200V，镀膜机的阴极电流调节至4A。

上述镀膜工艺的步骤S3中，晶振片间隔冷却的时间为1～3min。

本发明的有益效果是：本镀膜工艺采用相同的材料进行了二次镀膜，起到隔绝空气和保护晶振片的效果，镀膜后晶振片的频率在5.99MHz～5.995MHz，跳频情况明显改善。

具体实施方式

下面将对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

一种晶振片防跳频镀膜工艺，晶振片放置于镀膜机的操作箱内进行加工，镀膜机设置有二氧化硅蒸发源，其镀膜的具体步骤为：

步骤S1、启动镀膜机，设置镀膜机的阳极电压、阴极电流等运行参数，往镀膜机的操作箱内通入氩气形成无氧环境，氩气的通入速度设置为17～20ccm；

步骤S2、真空镀膜机在晶振片的表面以0.3～0.5nm/s的镀膜速度镀上第一层二氧化硅，第一层二氧化硅的厚度为4～5nm；