[发明专利]高可靠性的电容式RF MEMS开关

权利要求书

1.高可靠性的电容式RF MEMS开关，包括基底(1)、设于所述基底(1)内部的驱动部件(2)以及设于所述基底(1)上的滑动部件(4)，所述滑动部件(4)由所述驱动部件(2)驱动运动，其特征在于：还包括传输部件(3)，所述传输部件(3)设于所述基底(1)内，所述传输部件(3)包括输入部(31)和输出部(32)，所述基底(1)的两侧分别为输入侧(11)和输出侧(12)，所述输入部(31)位于所述输入侧(11)，所述输出部(32)位于所述输出侧(12)，所述滑动部件(4)于输入侧(11)和输出侧(12)之间运动，驱动部件(2)仅用于驱动滑动部件(4)的运动，通过传输部件(3)与所述滑动部件(4)之间耦合电容变化，实现开合控制。

2.如权利要求1所述的高可靠性的电容式RF MEMS开关，其特征在于：所述传输部件(3)还包括传输地线(33)，所述传输地线(33)位于所述驱动部件(2)和所述滑动部件(4)的外侧。

3.如权利要求1所述的高可靠性的电容式RF MEMS开关，其特征在于：所述驱动部件(2)包括第一驱动组件(21)和第二驱动组件(22)，所述第一驱动组件(21)位于所述输入侧(11)，所述第二驱动组件(22)位于所述输出侧(12)，所述滑动部件(4)分别由所述第一驱动组件(21)和所述第二驱动组件(22)驱动运动。

4.如权利要求3所述的高可靠性的电容式RF MEMS开关，其特征在于：所述第二驱动组件(22)与所述输出部(32)相导通。

5.如权利要求3所述的高可靠性的电容式RF MEMS开关，其特征在于：所述输入部(31)的长度大于所述第一驱动组件(21)的长度，所述输出部(32)的长度大于所述第二驱动组件(22)的长度。

6.如权利要求3所述的高可靠性的电容式RF MEMS开关，其特征在于：所述第一驱动组件(21)和所述第二驱动组件(22)均包括至少两个驱动电极，且所述驱动电极分别位于所述输入部(31)的两侧或所述输出部(32)的两侧，所述第一驱动组件(21)的所有所述驱动电极相连接，所述第二驱动组件(22)的所有所述驱动电极相连接。

7.如权利要求6所述的高可靠性的电容式RF MEMS开关，其特征在于：所述第一驱动组件(21)还包括用于连接第一驱动组件(21)的所有所述驱动电极的第一连接电极(211)，所述第二驱动组件(22)还包括用于连接第二驱动组件(22)的所有所述驱动电极的第二连接电极(222)。

8.如权利要求7所述的高可靠性的电容式RF MEMS开关，其特征在于：所述第一连接电极(211)和所述第二连接电极(222)延伸至所述输入部(31)和所述输出部(32)之间，所述第一连接电极(211)和所述第二连接电极(222)的宽度大于0.1μm。

9.如权利要求3所述的高可靠性的电容式RF MEMS开关，其特征在于：所述驱动部件(2)还包括接地电极(23)，所述接地电极(23)位于所述第一驱动组件(21)和所述第二驱动组件(22)之间。

10.如权利要求2所述的高可靠性的电容式RF MEMS开关，其特征在于：所述滑动部件(4)包括电容板(41)，所述电容板(41)位于所述基底(1)上，且所述电容板(41)与所述基底(1)超滑接触。

11.如权利要求2所述的高可靠性的电容式RF MEMS开关，其特征在于：所述滑动部件(4)包括电容板(41)和滑动架(42)，所述滑动架(42)架设于所述基底(1)上并带动所述电容板(41)运动。

12.如权利要求11所述的高可靠性的电容式RF MEMS开关，其特征在于：所述电容板(41)由金属导体或半导体材料制成，所述电容板(41)的厚度为0.6μm至20μm。