[发明专利]高可靠性的电容式RF MEMS开关有效
申请号: | 202110570777.1 | 申请日: | 2021-05-25 |
公开(公告)号: | CN113035650B | 公开(公告)日: | 2021-09-07 |
发明(设计)人: | 向小健;杨德智;黄轩宇;白玉蝶;郑泉水 | 申请(专利权)人: | 深圳清华大学研究院;清华大学 |
主分类号: | H01H59/00 | 分类号: | H01H59/00 |
代理公司: | 深圳市惠邦知识产权代理事务所 44271 | 代理人: | 满群 |
地址: | 518057 广东省深圳市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 可靠性 电容 rf mems 开关 | ||
本发明提供了一种高可靠性的电容式RF MEMS开关,包括基底、设于基底内部的驱动部件、设于基底上的滑动部件以及设于基底内的传输部件,滑动部件由驱动部件驱动运动,传输部件包括输入部和输出部,滑动部件于输入侧和输出侧之间运动。本发明提供的高可靠性的电容式RF MEMS开关,将传统的悬臂梁式的电容开关改为面内滑动式,利用滑动部件与传输部件之间耦合电容的变化,实现射频信号的通断,避免了由粘附力、冲击损伤、表面效应等引起的粘附失效问题,能够实现较高的使用寿命。同时,水平驱动方式可实现驱动部件与传输部件的空间解耦,显著提高开关的隔离度和操作功率,且解决驱动部件电路对传输部件信号输出的串扰问题。
技术领域
本发明属于射频器件的技术领域,更具体地说,是涉及一种高可靠性的电容式RFMEMS开关。
背景技术
射频开关用来对一路或几路射频信号进行切换和路由,包括接收与发射的切换、不同频段间的切换、共用天线等,是射频通路中最常用器件之一。其广泛应用于射频测试仪表、自动测试系统(ATE)、射频无线通信系统(手机、基站)、雷达通信系统、卫星通信系统等领域。
其中,RF MEMS射频开关与传统半导体开关相比,由于利用机械式切换来控制射频信号的通断,具有高线性度、低损耗、 高隔离度、小体积等、低能耗等优异特性,正逐渐成为未来射频开关的主流方案,有潜力成为下一代移动通信终端及系统、卫星通信系统、高性能相控阵雷达等国防和民用领域先进电子装备的关键技术之一。
尽管,RF MEMS开关有诸多优势,但是要实现大规模应用,亟待在可靠性方面取得突破。现有技术中的电容式RF MEMS开关一般采用两端或多端梁式结构,梁支撑极板架设在电极元件的上方,电极元件能够驱动极板或梁利用自身挠度实现垂直运动,极板和电极元件之间形成电容,随着极板的运动,电容的大小也随之变化。但是,由于多数电极元件需要同时实现驱动和传输,电极元件与传输部件存在物理耦合关系,制约电容开关射频开关器件的隔离度和操作功率能力,并且极板在垂直运动时,会与介质层接触并发生撞击,从而造成粘附和冲击损伤,影响整个RF MEMS开关的可靠性和寿命。
公开号为CN105788971A的中国专利申请公开了一种基于硅衬底的紧凑型MEMS电容式射频开关及制备方法,其包括一段叉指式共面波导传输线、可动极板、硅衬底和绝缘介质,可动极板在叉指式共面波导传输线中的固定极板上方,同时固定极板作为叉指式共面波导传输线的信号线,该信号线与外接射频电路连接;在可动极板和固定极板间设置一偏置电压,用以控制所述开关的通断,从而控制外接射频信号的接通与断开。
上述方案中通过信号线与偏置电压相分离的方式增加其隔离度,但是该结构的所有电路仍置在同一平面,此时偏置电压和可动极板仍会存在一定的耦合力,如果增加可动极板与信号线之间的距离,由于偏置电压与间距的平方关系,则开关的驱动电压会急剧增大,且反应时间也会随之降低。
因此,攻克电容式RF MEMS开关的高可靠性、高隔离度等关键核心技术难题需要从设计、结构、材料等多层面寻求彻底性的解决方法。
发明内容
本发明的目的在于提供一种高可靠性的电容式RF MEMS开关,以解决现有技术中存在的可靠性差、隔离度低、功率小的技术问题。
为实现上述目的,本发明采用的技术方案是:提供一种高可靠性的电容式RF MEMS开关,包括基底、设于所述基底内部的驱动部件以及设于所述基底上的滑动部件,所述滑动部件由所述驱动部件驱动运动,其特征在于:还包括传输部件,所述传输部件设于所述基底内,所述传输部件包括输入部和输出部,所述基底的两侧分别为输入侧和输出侧,所述输入部位于所述输入侧,所述输出部位于所述输出侧,所述滑动部件于输入侧和输出侧之间运动。
进一步地,所述传输部件还包括传输地线,所述传输地线位于所述驱动部件和所述滑动部件的外侧。
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