[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，所述半导体装置包括：

栅极结构，位于基底上；

第一间隔件结构和第二间隔件结构，分别位于栅极结构的彼此相对的第一侧壁和第二侧壁上；以及

第一源极/漏极层和第二源极/漏极层，分别位于基底的与栅极结构的第一侧壁相邻的上部和基底的与栅极结构的第二侧壁相邻的上部处，

其中，栅极结构的上表面具有参照作为基准面的基底的上表面从栅极结构的中心部分到栅极结构的第一侧壁减小并且从栅极结构的中心部分到栅极结构的第二侧壁基本恒定的高度。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，栅极结构包括顺序地堆叠在基底上的栅极绝缘图案、第一导电图案、扩散阻挡件、第二导电图案和栅极掩模，

其中，栅极掩模的上表面具有参照作为基准面的基底的上表面从栅极结构的中心部分到栅极结构的第一侧壁减小并且从栅极结构的中心部分到栅极结构的第二侧壁基本恒定的高度，并且

其中，第二导电图案的上表面具有参照作为基准面的基底的上表面在栅极结构的第一侧壁与栅极结构的第二侧壁之间基本恒定的高度。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，第一导电图案包括掺杂的多晶硅，扩散阻挡件包括金属硅氮化物，第二导电图案包括金属，并且栅极掩模包括氮化硅。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，第一间隔件结构和第二间隔件结构彼此不对称，并且具有彼此不同的形状。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，参照作为基准面的基底的上表面，第一间隔件结构的最上表面低于第二间隔件结构的最上表面。

6.根据权利要求5所述的半导体装置，其中，参照作为基准面的基底的上表面，第一间隔件结构的上表面的高度随着在基本平行于基底的上表面的方向上距栅极结构的第一侧壁的距离增大而逐渐减小。

7.根据权利要求1至权利要求6中的任意一项所述的半导体装置，其中，第一间隔件结构包括从栅极结构的第一侧壁在基本平行于基底的上表面的方向上顺序地堆叠的第一间隔件、第一蚀刻停止图案和第三间隔件，并且

其中，第二间隔件结构包括从栅极结构的第二侧壁在基本平行于基底的上表面的方向上顺序地堆叠的第二间隔件、第二蚀刻停止图案和第四间隔件。

8.根据权利要求7所述的半导体装置，其中，第一间隔件和第二间隔件中的每个包括氮化硅，第一蚀刻停止图案和第二蚀刻停止图案中的每个包括氧化硅，并且第三间隔件和第四间隔件中的每个包括氧化硅。

9.根据权利要求7所述的半导体装置，其中，第一间隔件和第二间隔件中的每个包括氮化硅，第一蚀刻停止图案和第二蚀刻停止图案中的每个包括金属氧化物，并且第三间隔件和第四间隔件中的每个包括氧化硅。

10.根据权利要求7所述的半导体装置，其中，第一蚀刻停止图案和第二蚀刻停止图案中的每个包括呈“L”形图案的剖面。

11.根据权利要求1至权利要求6中的任意一项所述的半导体装置，其中，第一源极/漏极层和第二源极/漏极层中的每个包括：

第一杂质区，包括具有第一浓度的杂质；以及

第二杂质区，包括具有大于第一浓度的第二浓度的杂质，第二杂质区位于第一杂质区中。