[发明专利]半导体装置

说明书

提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括：栅极结构，位于基底上；第一间隔件结构和第二间隔件结构，分别位于栅极结构的彼此相对的第一侧壁和第二侧壁上；以及第一源极/漏极层和第二源极/漏极层，分别位于基底的与栅极结构的第一侧壁相邻的上部和基底的与栅极结构的第二侧壁相邻的上部处。栅极结构的上表面具有参照作为基准面的基底的上表面从栅极结构的中心部分到栅极结构的第一侧壁减小并且从栅极结构的中心部分到栅极结构的第二侧壁基本恒定的高度。

本申请要求于2020年9月7日在韩国知识产权局提交的第10-2020-0113854号韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。

技术领域

发明构思的示例实施例涉及一种半导体装置。更具体地，发明构思的示例实施例涉及包括源极/漏极层的晶体管。

背景技术

当在DRAM装置的外围电路区域中形成晶体管时，在基底上形成栅极结构，并且在基底的与栅极结构相邻的上部处形成源极/漏极层。可以通过在基底上形成用作离子注入掩模的光致抗蚀剂图案，然后执行离子注入工艺来形成源极/漏极层。可以通过在基底上形成光致抗蚀剂层以覆盖栅极结构，然后对光致抗蚀剂层执行曝光工艺和显影工艺，使得可以穿过光致抗蚀剂层形成开口以暴露栅极结构之间的区域来形成光致抗蚀剂图案。最近，随着栅极结构之间的距离减小，穿过光致抗蚀剂层的开口可以具有减小的尺寸，由于使用KrF激光设备的曝光工艺的分辨率限制，这可能难以形成。

发明内容

示例实施例提供了一种具有改善的特性的半导体装置。

根据发明构思的示例实施例，提供了一种半导体装置。该半导体装置可以包括：栅极结构，位于基底上；第一间隔件结构和第二间隔件结构，分别位于栅极结构的彼此相对的第一侧壁和第二侧壁上；以及第一源极/漏极层和第二源极/漏极层，分别位于基底的与栅极结构的第一侧壁相邻的上部和基底的与栅极结构的第二侧壁相邻的上部处。栅极结构的上表面可以具有参照作为基准面的基底的上表面从中心部分到第一侧壁减小并且从中心部分到第二侧壁基本恒定的高度。

根据发明构思的示例实施例，提供了一种半导体装置。该半导体装置可以包括：第一栅极结构、第二栅极结构和第三栅极结构，在基底上彼此分隔开；第一间隔件结构和第二间隔件结构，分别位于第一栅极结构、第二栅极结构和第三栅极结构中的每个的彼此相对的第一侧壁和第二侧壁上；以及第一源极/漏极层、第二源极/漏极层、第三源极/漏极层和第四源极/漏极层，分别位于基底的在第一栅极结构与第二栅极结构之间的上部、基底的在第二栅极结构与第三栅极结构之间的上部、基底的在第一栅极结构的一侧处的上部和基底的在第三栅极结构的一侧处的上部处。第一栅极结构和第二栅极结构可以彼此分隔开第一距离，并且第二栅极结构和第三栅极结构可以彼此分隔开大于第一距离的第二距离。参照作为基准面的基底的上表面，第二栅极结构的面对第一栅极结构的第一侧壁上的第一间隔件结构的最上表面可以低于第二栅极结构的第二侧壁上的第二间隔件结构的最上表面。

根据发明构思的示例实施例，提供了一种半导体装置。该半导体装置可以包括：第一有源图案和第二有源图案，分别位于基底的单元区域和外围电路区域上，外围电路区域在半导体装置的平面图中围绕单元区域；第一栅极结构，掩埋在第一有源图案的上部处；位线结构，物理地接触第一有源图案的中心上表面；接触塞结构，物理地接触第一有源图案的相对的边缘上表面中的每个；电容器，位于接触塞结构上；第二栅极结构，位于第二有源图案上；第一间隔件结构和第二间隔件结构，分别位于第二栅极结构的彼此相对的第一侧壁和第二侧壁上；以及第一源极/漏极层和第二源极/漏极层，分别位于基底的与第二栅极结构的第一侧壁相邻的上部和基底的与第二栅极结构的第二侧壁相邻的上部处。第二栅极结构的上表面可以具有参照作为基准面的基底的上表面从中心部分到第一侧壁减小并且从中心部分到第二侧壁基本恒定的高度。