[发明专利]一种基于多功能聚乙烯亚胺介导的检测心肌梗死标志物的无标记电化学发光免疫阵列传感器有效
申请号: | 202110571488.3 | 申请日: | 2021-05-25 |
公开(公告)号: | CN113267632B | 公开(公告)日: | 2023-06-23 |
发明(设计)人: | 邵元华;梁旭;米兰;胡悦聪 | 申请(专利权)人: | 北京大学 |
主分类号: | G01N33/68 | 分类号: | G01N33/68;G01N21/76 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人: | 赵静 |
地址: | 100871*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基于 多功能 聚乙烯 亚胺 检测 心肌梗死 标志 标记 电化学 发光 免疫 阵列 传感器 | ||
1.一种多功能聚乙烯亚胺介导的二氧化硅@金核壳纳米结构的制备方法,包括下述步骤:
1)将氯金酸加入热的还原剂溶液中进行还原反应,生成金纳米粒子;
2)冷却后向步骤1)的体系中加入碱源和硅酸酯进行反应,在所述金纳米粒子的表面形成二氧化硅壳层,即得;其中,所述还原剂和碱源均为聚乙烯亚胺;
所述聚乙烯亚胺为分枝状聚乙烯亚胺,其重均分子量为1800g/mol。
2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于:
所述硅酸酯为正硅酸四乙酯;
所述还原剂、氯金酸、正硅酸四乙酯、碱源的摩尔比为0.2:18:81:10~2:18:810:50。
3.根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于:
所述还原剂、氯金酸、正硅酸四乙酯、碱源的摩尔比为1:18:405:30。
4.根据权利要求1或2所述的制备方法,其特征在于:所述步骤1)中,所述还原剂与氯金酸的摩尔比为0.2:18~2:18;
所述还原反应的反应温度在30~100℃;所述还原反应的反应时间在2~20min;
所述还原反应在溶剂中进行,所述溶剂为水;
所述步骤2)中,所述冷却在冰水浴中进行,所述冷却的时间为3~10min;
所述反应在15~25℃条件下,反应时间为25~40min。
5.权利要求1-4中任一项所述方法制备得到的多功能聚乙烯亚胺介导的二氧化硅@金核壳纳米结构。
6.一种无标记免疫传感器或无标记免疫阵列传感器的制备方法,包括下述步骤:
a1)将权利要求5所述的多功能聚乙烯亚胺介导的二氧化硅@金核壳纳米结构与壳聚糖溶液混合后滴涂于电极或阵列电极表面,自然干燥,得到修饰电极或修饰阵列电极;
a2)将所述修饰电极或修饰阵列电极表面先用柠檬酸钠@金修饰的抗体的溶液进行修饰,再用BSA溶液封闭非特异性结合位点,即得。
7.根据权利要求6所述的方法,其特征在于:所述步骤a1)中,所述壳聚糖溶液浓度为0.1~5mg/mL;
所述多功能聚乙烯亚胺介导的二氧化硅@金核壳纳米结构与壳聚糖的质量比为2~20:1;
所述电极为玻璃碳电极,电极直径3mm;所述阵列电极为三玻璃碳电极阵列,阵列中各电极直径2mm,间距2mm;
所述步骤a2)中,对于所述修饰电极,其选择的抗体选自下述任意一种:抗cTnI抗体、抗hFABP抗体、抗copeptin抗体;
对于所述修饰阵列电极,所述抗体选自下述任意一种:抗cTnI抗体、抗hFABP抗体、抗copeptin抗体;且所述阵列电极中不同电极上的抗体不同;
或,所述步骤a2)的具体制备方法如下:在所述修饰的电极或修饰的阵列电极表面滴加柠檬酸钠@金修饰的抗体的溶液,4℃孵育过夜;用PBS溶液清洗后,滴加BSA的PBS溶液,4℃保持1h以封闭非特异性结合位点,最后用PBS清洗电极表面。
8.根据权利要求7所述的方法,其特征在于:所述步骤a1)中,所述壳聚糖溶液浓度为0.5mg/mL;
所述多功能聚乙烯亚胺介导的二氧化硅@金核壳纳米结构与壳聚糖的质量比为14:1。
9.权利要求7或8所述方法制备得到的无标记免疫传感器或无标记电化学发光免疫阵列传感器。
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