[发明专利]铁电存储器器件及其形成方法

权利要求书

1.一种铁电存储器器件，包括：

多层堆叠，设置在衬底上且包括交替堆叠的多个导电层及多个介电层；

沟道层，穿透过所述多个导电层及所述多个介电层；

铁电层，设置在所述沟道层与所述多个导电层及所述多个介电层中的每一者之间；以及

多个缓冲层，包括金属氧化物，所述多个缓冲层中的一者设置在所述铁电层与所述多个介电层中的每一者之间。

2.根据权利要求1所述的铁电存储器器件，其中所述多个缓冲层中的一者的上表面与上覆的导电层的下表面实质上处于同一水平高度。

3.根据权利要求1所述的铁电存储器器件，其中所述多个缓冲层的侧壁与所述多个导电层的侧壁实质上齐平。

4.根据权利要求1所述的铁电存储器器件，其中所述多个缓冲层包括La₂O₃、Al₂O₃、MgO或其组合。

5.根据权利要求1所述的铁电存储器器件，其中所述铁电层包括HfZrO、HfAlO、HfLaO、HfCeO、HfO、HfGdO、HfSiO或其组合。

6.根据权利要求1所述的铁电存储器器件，其中所述多个缓冲层包括与所述铁电层的材料相同的材料。

7.根据权利要求1所述的铁电存储器器件，其中所述多个缓冲层包括与所述铁电层的材料不同的材料。

8.一种铁电存储器器件，包括：

多层堆叠，设置在衬底上且包括交替堆叠的多个栅极电极层及多个介电层；

多个隔离结构，设置在所述衬底上且穿透过所述多层堆叠；

沟道层，设置在所述多层堆叠与所述多个隔离结构中的每一者之间；以及

铁电层，设置在所述沟道层与所述多层堆叠之间，其中所述铁电层接触所述多层堆叠的所述多个栅极电极层中的每一者但与所述多层堆叠的所述多个介电层中的每一者隔开。

9.根据权利要求8所述的铁电存储器器件，还包括多个缓冲层，所述多个缓冲层中的每一者设置在所述铁电层与所述多个介电层中的每一者之间。

10.一种形成铁电存储器器件的方法，包括：

在衬底上形成多层堆叠，其中所述多层堆叠包括交替堆叠的多个介电层及多个导电层且具有穿透过所述多层堆叠的沟槽；

使由所述沟槽的侧壁暴露出的所述多个介电层凹陷且因此形成多个凹槽，所述多个凹槽中的一者形成在所述多个导电层中的两个相邻导电层之间；

在所述多个凹槽内分别形成多个缓冲层；

在所述沟槽的所述侧壁上形成铁电层，其中所述铁电层覆盖所述多个缓冲层的侧壁及所述多个导电层的侧壁；以及

在所述铁电层上形成沟道层。