[发明专利]半导体器件及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

第一鳍，所述第一鳍从衬底延伸；

第一栅极堆叠，所述第一栅极堆叠位于所述第一鳍的侧壁之上并沿着所述第一鳍的侧壁；

第一栅极间隔件，所述第一栅极间隔件沿着所述第一栅极堆叠的侧壁设置；以及

第一源极/漏极区域，所述第一源极/漏极区域位于所述第一鳍中并与所述第一栅极间隔件相邻，所述第一源极/漏极区域包括：

第一外延层，所述第一外延层位于所述第一鳍上，所述第一外延层包括具有第一掺杂剂浓度的硼；以及

第二外延层，所述第二外延层位于所述第一外延层上，所述第二外延层包括具有第二掺杂剂浓度的硼，所述第二掺杂剂浓度大于所述第一掺杂剂浓度。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二外延层的厚度在5nm至30nm的范围内。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二外延层具有平坦的顶表面。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

蚀刻停止层，所述蚀刻停止层位于所述第一源极/漏极区域之上并且位于所述第一栅极间隔件的侧壁上；

第一层间电介质，所述第一层间电介质位于所述蚀刻停止层之上；

第二层间电介质，所述第二层间电介质位于所述第一层间电介质之上；以及

第一导电接触件，所述第一导电接触件延伸穿过所述第一层间电介质、所述第二层间电介质和所述蚀刻停止层，所述第一导电接触件电气地耦合到所述第一源极/漏极区域。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二外延层与所述第一栅极间隔件接触。

6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，所述第一外延层与所述第一栅极间隔件接触。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

第二鳍，所述第二鳍从衬底延伸；

第二栅极堆叠，所述第二栅极堆叠位于所述第二鳍的侧壁之上并沿着所述第二鳍的侧壁；

第二栅极间隔件，所述第二栅极间隔件沿着所述第二栅极堆叠的侧壁设置；以及

第二源极/漏极区域，所述第二源极/漏极区域位于所述第二鳍中并与所述第二栅极间隔件相邻，所述第二源极/漏极区域包括第三外延层，所述第三外延层具有与所述第一外延层和所述第二外延层不同的材料组合物。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二掺杂剂浓度是所述第一掺杂剂浓度的二至十倍。

9.一种用于形成半导体器件的方法，包括：

在第一鳍的侧壁之上并沿着所述第一鳍的侧壁沉积第一虚设栅极，所述第一鳍从衬底延伸；

沿着所述第一虚设栅极的侧壁形成第一栅极间隔件；

在所述第一鳍中并与所述第一栅极间隔件相邻地形成第一凹部；以及

在所述第一凹部中形成第一源极/漏极区域，其中，形成所述第一源极/漏极区域包括：

在所述第一凹部中外延生长第一层，所述第一层延伸到所述第一鳍的顶表面上方，所述第一层包括具有第一掺杂剂浓度的第一掺杂剂；以及

在所述第一层上外延生长第二层，所述第二层包括具有第二掺杂剂浓度的所述第一掺杂剂，所述第二掺杂剂浓度大于所述第一掺杂剂浓度。

10.一种用于形成半导体器件的方法，包括：

在第一鳍的侧壁之上并沿着所述第一鳍的侧壁形成第一虚设栅极，所述第一鳍从衬底向上延伸；

沿着所述第一虚设栅极的侧壁形成第一栅极间隔件；

与所述第一栅极间隔件相邻地在所述第一鳍中蚀刻第一凹部；

在所述第一凹部中形成第一源极/漏极区域，所述第一源极/漏极区域包括第一外延层和第二外延层，所述第一外延层在所述第一凹部中从所述第一鳍生长，所述第二外延层从所述第一外延层生长，所述第二外延层具有比所述第一外延层大的硼浓度；以及

用设置在所述第一鳍的侧壁之上并沿着所述第一鳍的侧壁设置的第一功能栅极堆叠来替代所述第一虚设栅极。