[发明专利]半导体器件及其形成方法

说明书

本申请公开了半导体器件及其形成方法。在一个实施例中，一种器件包括从衬底延伸的第一鳍。该器件还包括位于第一鳍的侧壁之上并沿着第一鳍的侧壁的第一栅极堆叠。该器件还包括沿着第一栅极堆叠的侧壁设置的第一栅极间隔件。该器件还包括位于第一鳍中并与第一栅极间隔件相邻的第一源极/漏极区域，第一源极/漏极区域包括位于第一鳍上的第一外延层，第一外延层包括具有第一掺杂剂浓度的硼。该器件还包括位于第一外延层上的第二外延层，第二外延层包括具有第二掺杂剂浓度的硼，第二掺杂剂浓度大于第一掺杂剂浓度。

技术领域

本公开涉及半导体制造领域，更具体地，涉及半导体器件及其形成方法。

背景技术

半导体器件用于各种电子应用中，例如，个人计算机、蜂窝电话、数码相机和其他电子设备。半导体器件通常通过以下方式来制造：在半导体衬底之上按顺序地沉积材料的绝缘层或电介质层、导电层和半导体层，并使用光刻来图案化各种材料层以在其上形成电路组件和元件。

半导体工业通过不断减小最小特征尺寸来继续提高各种电子组件(例如，晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度，这允许更多组件被集成到给定区域中。

发明内容

根据本公开的第一方面，提供了一种半导体器件，包括：第一鳍，所述第一鳍从衬底延伸；第一栅极堆叠，所述第一栅极堆叠位于所述第一鳍的侧壁之上并沿着所述第一鳍的侧壁；第一栅极间隔件，所述第一栅极间隔件沿着所述第一栅极堆叠的侧壁设置；以及第一源极/漏极区域，所述第一源极/漏极区域位于所述第一鳍中并与所述第一栅极间隔件相邻，所述第一源极/漏极区域包括：第一外延层，所述第一外延层位于所述第一鳍上，所述第一外延层包括具有第一掺杂剂浓度的硼；以及第二外延层，所述第二外延层位于所述第一外延层上，所述第二外延层包括具有第二掺杂剂浓度的硼，所述第二掺杂剂浓度大于所述第一掺杂剂浓度。

根据本公开的第二方面，提供了一种用于形成半导体器件的方法，包括：在第一鳍的侧壁之上并沿着所述第一鳍的侧壁沉积第一虚设栅极，所述第一鳍从衬底延伸；沿着所述第一虚设栅极的侧壁形成第一栅极间隔件；在所述第一鳍中并与所述第一栅极间隔件相邻地形成第一凹部；以及在所述第一凹部中形成第一源极/漏极区域，其中，形成所述第一源极/漏极区域包括：在所述第一凹部中外延生长第一层，所述第一层延伸到所述第一鳍的顶表面上方，所述第一层包括具有第一掺杂剂浓度的第一掺杂剂；以及在所述第一层上外延生长第二层，所述第二层包括具有第二掺杂剂浓度的所述第一掺杂剂，所述第二掺杂剂浓度大于所述第一掺杂剂浓度。

根据本公开的第三方面，提供了一种用于形成半导体器件的方法，包括：在第一鳍的侧壁之上并沿着所述第一鳍的侧壁形成第一虚设栅极，所述第一鳍从衬底向上延伸；沿着所述第一虚设栅极的侧壁形成第一栅极间隔件；与所述第一栅极间隔件相邻地在所述第一鳍中蚀刻第一凹部；在所述第一凹部中形成第一源极/漏极区域，所述第一源极/漏极区域包括第一外延层和第二外延层，所述第一外延层在所述第一凹部中从所述第一鳍生长，所述第二外延层从所述第一外延层生长，所述第二外延层具有比所述第一外延层大的硼浓度；以及用设置在所述第一鳍的侧壁之上并沿着所述第一鳍的侧壁设置的第一功能栅极堆叠来替代所述第一虚设栅极。

附图说明

当结合附图进行阅读时，通过以下详细描述可最佳地理解本发明的各个方面。要注意的是，根据行业的标准惯例，各种特征没有按比例绘制。事实上，为了讨论的清楚，各种特征的尺寸可能被任意地增大或缩小。

图1示出了根据一些实施例的三维视图中的FinFET的示例。

图2、图3、图4、图5、图6、图7、图8A、图8B、图9A、图9B、图10A、图10B、图10C、图10D、图11A、图11B、图11C、图11D、图12A、图12B、图13A、图13B、图14A、图14B、图15A、图15B、图15C、图16A、图16B、图17A和图17B是根据一些实施例的制造FinFET的中间阶段的截面视图。

图18是根据一些实施例的源极/漏极区域的透视图。